[发明专利]反射镜，包含这种反射镜的投射物镜，以及包含这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备

权利要求书

1.一种包含基底(S)和层布置的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述层布置被设计为使得以至少在0°和30°之间的入射角入射于所述反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)上的、波长小于250nm的光(32)的强度被反射超过20%，以及所述层布置包含至少一个表面层系(P’’’)，其由单独层的至少两个周期(P₃)的周期序列构成，其中所述周期(P₃)包含由用于高折射率层(H’’’)和低折射率层(L’’’)的不同材料构成的两个单独层，

其特征在于：

所述层布置包含由石墨烯构成的至少一个层(G、SPL、B)。

2.根据权利要求1所述的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述由石墨烯构成的至少一个层(G、SPL、B)具有小于0.1nm rms HSFR，尤其是小于0.4nm rms HSFR的表面粗糙度。

3.一种包含基底(S)和层布置的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述层布置被设计为使得至少以在0°和30°之间的入射角入射于所述反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)上的、波长小于250nm的光(32)的强度被反射超过20%，以及所述层布置包含至少一个表面层系(P’’’)，其由单独层的至少两个周期(P₃)的周期序列构成，其中所述周期(P₃)包含由用于高折射率层(H’’’)和低折射率层(L’’’)的不同材料构成的两个单独层，

其特征在于：

所述层布置包含具有小于0.1nm rms HSFR，尤其是小于0.4nm rms HSFR的表面粗糙度的至少一个层。

4.根据前述权利要求任一项所述的反射镜(la;la';lb;lb';lc;lc')，其中，所述至少一个层对于高于HSFR范围的空间频率具有小于0.1nm rms，尤其是小于0.07nm rms的表面粗糙度。

5.根据前述权利要求任一项所述的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)为用于EUV波长的反射镜，其将以相对于反射镜表面的入射点处的法线的、至少在0°和30°之间的入射角入射在所述反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)上的EUV辐射的强度反射超过20%。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述层布置包含至少一个由以下组的材料形成或为以下组的材料构成的化合物的层：镍、碳、石墨烯、碳化硼、钴、铍、硅、氧化硅。

7.根据权利要求5或6所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’;lb’;lc)，其中，所述层布置包含由单独层的至少两个周期(P_p)的周期序列构成的至少一个表面保护层系(SPLS)，其中所述周期(P_p)包含由用于高折射率层(H_p)和低折射率层(L_p)的不同材料构成的两个单独层，其中形成所述周期(P_p)的两个单独层(L_p、H_p)的材料为镍和硅，或钴和铍。

8.根据权利要求5或6所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，形成所述周期(P2、P3)的两个单独层(L’’、H’’、L’’’、H’’’)的材料为钼和硅、或者钌和硅，以及其中覆盖层系(C)包含由化学惰性材料构成的至少一个层(M)，并且作为所述反射镜的层布置的端层。

9.根据权利要求7或8所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中，所述单独层由至少一个阻挡层(B)分开，并且构成所述阻挡层(B)的材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物：碳化硼、碳、石墨烯、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钼、碳化钼、硼化钼、氮化钌、碳化钌和硼化钌。