[发明专利]多晶片MEMS封装

权利要求书

1.一种装置，包括：

控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；

微机电系统(MEMS)IC，所述微机电系统IC安装到所述控制器IC的第一侧；

硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且

其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。

2.根据权利要求1所述的装置，包括多个焊料互连器，所述多个焊料互连器耦合到所述电路板和所述控制IC。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述MEMS IC包括惯性传感器。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述惯性传感器包括具有六个自由度的惯性传感器。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述MEMS IC包括：

器件层，所述器件层具有多个可移动部分和单个锚，所述器件层配置成使所述可移动部分中的一个或多个能够进行平面内移动和平面外移动，并且所述单个锚配置成支撑所述多个可移动部分；以及

保护层，所述保护层耦合到所述控制器IC对面的所述器件层。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述惯性传感器包括通孔层，所述通孔层在所述器件层的外围处并且在所述锚处耦合到所述器件层，所述通孔层包括电绝缘区域，所述电绝缘区域配置成提供所述惯性传感器的平面外电极。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述器件层在所述器件层的外围处并且在所述单个锚处直接耦合到所述控制器IC。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器IC包括专用IC(ASIC)。

9.根据权利要求1所述的装置，包括高电压控制器IC，所述高电压控制器IC配置成供应电压以将所述MEMS IC驱动至共振。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述高电压控制器IC安装到所述控制器IC上。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述控制器IC包括第一专用IC(ASIC)；并且

其中，所述高电压控制器IC包括第二ASIC。

12.一种装置，包括：

微机电系统(MEMS)集成电路(IC)，所述MEMS IC包括：

器件层，所述器件层具有多个间隙，所述多个间隙形成多个可移动部分和单个锚，所述单个锚配置成支撑所述多个可移动部分；和

保护层，所述保护层耦合到所述器件层，并且配置成使所述多个可移动部分周围保持真空并且限制所述多个可移动部分的平面外移动；以及

控制器IC，所述控制器IC具有耦合到所述MEMS IC的第一侧，所述控制器IC包括硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC从所述第一侧延伸到所述控制器IC的第二侧，所述硅通孔配置成将位于所述控制器IC的所述第一侧的接触件与位于所述控制器IC的所述第二侧上的接触件电耦合。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述MEMS IC包括通孔晶片，所述通孔晶片耦合到所述保护层对面的所述器件层，所述通孔层配置成电耦合所述器件层和所述控制器IC。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述控制器IC在所述器件层的外围处并且在所述单个锚处直接耦合到所述器件层。

15.根据权利要求12所述的装置，其中，所述MEMS IC包括惯性传感器。

16.根据权利要求12所述的装置，其中，所述MEMS IC包括三轴陀螺仪传感器和三轴加速度计。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述三轴陀螺仪传感器和所述三轴加速度计机械地集成在所述器件层内。

18.根据权利要求12所述的装置，包括MEMS压力传感器IC，所述MEMS压力传感器IC耦合到所述控制器IC的所述第一侧。

19.根据权利要求12所述的装置，包括高电压控制器IC，所述高电压控制器IC接近所述MEMS IC地耦合到所述控制器IC的所述第一侧，所述高电压控制器IC配置成比所述控制器IC使用更高的电压操作。

20.根据权利要求12所述的装置，其中，所述控制器IC包括专用IC(ASIC)。