[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201180054787.4 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN103210489A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 高宫喜和;大西一永;小平悦宏 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/48;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

绝缘衬底;

控制端子,其附连至所述绝缘衬底从而电连接至安装至所述绝缘衬底的半导体芯片;

外壳,所述控制端子贯穿该外壳;

第一止动部,其防止所述控制端子在面向所述绝缘衬底的方向上的移动;和

第二止动部,其防止所述控制端子在与所述绝缘衬底分开的方向上的移动。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述控制端子包括:

贯穿所述外壳的盖的贯穿部;和

L-形部件,与所述贯穿部基本垂直地连接至所述贯穿部以与所述贯穿部一起形成L形状,且所述L-形部件与所述外壳的所述盖的后表面接触,

其中所述控制端子包括突出部,所述突出部被安装在所述贯穿部内,且所述突出部与所述外壳的所述盖的前表面接触,

其中所述第一止动部是所述突出部,且

其中所述第二止动部是所述L-形部件。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

其中所述突出部与所述突出接收部相接触,所述突出接收部由所述外壳的所述盖的所述前表面构成,且

其中所述L-形部件与形成在所述外壳的所述盖的后表面中的凸起部相接触。

4.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

其中所述控制端子还包括连接部,所述连接部的一端连接至所述L-形部件的底面部分且所述连接部的另一端附连至所述绝缘衬底,

其中所述L-形部件的侧表面基本垂直于所述贯穿部的侧表面,

其中所述连接部的侧表面基本垂直于所述L-形部件的所述侧表面且基本平行于所述贯穿部的所述侧表面,且

其中所述突出部用所述贯穿部的所述侧表面形成。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述贯穿部、所述L-形部件、和所述控制端子的所述连接部是从一片金属板上切割下来的连续部件。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

其中所述控制端子包括贯穿所述外壳的盖的贯穿部,

其中所述控制端子包括第一突出部,所述第一突出部被安装到所述贯穿部,且所述第一突出部与所述外壳的所述盖的前表面接触,

其中所述控制端子包括第二突出部,所述第二突出部被安装在所述贯穿部内且与所述第一突出部分离,且所述第二突出部与所述外壳的所述盖的后表面接触,

其中所述第一止动部是所述第一突出部,且

其中所述第二止动部是所述第二突出部。

7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

其中所述控制端子包括贯穿所述外壳的盖的贯穿部,

其中所述控制端子包括被安装在所述贯穿部内的槽部,所述槽部插入所述外壳的所述盖并与所述外壳的所述盖的前表面和后表面相接触,

其中所述第一止动部是所述槽部的与所述外壳的所述盖的前表面接触的侧壁,和

其中所述第二止动部是所述槽部的与所述外壳的所述盖的后表面接触的侧壁。

8.如权利要求6或7所述的半导体装置,其特征在于,所述控制端子还包括:

L-形部件,与所述贯穿部基本垂直地连接至所述贯穿部以与所述贯穿部一起形成L形;和

连接部,所述连接部的一端连接至所述L-形部件的底面部分且所述连接部的另一端附连至所述绝缘衬底。

9.一种半导体装置,包括:

绝缘衬底;

覆盖所述绝缘衬底的外壳;

附连至所述绝缘衬底并贯穿所述外壳的控制端子;

第一止动部,其被安装在所述控制端子的暴露在所述外壳的外侧的部分,所述第一止动部从所述外壳的所述外侧与所述外壳接触;和

第二止动部,其被安装在所述控制端子的位于所述外壳的内侧的部分,所述第二止动部从所述外壳的所述内侧与所述外壳接触。

10.一种半导体装置,包括:

金属部件;

绝缘衬底,其附连至所述金属部件的前表面;

附连至所述绝缘衬底的电路图案的半导体芯片和主端子;

外壳,其附连至所述金属部件从而覆盖所述金属部件的前表面侧;

安装在所述外壳内的贯穿孔;

控制端子,其包括附连至所述电路图案的连接部、由所述贯穿孔支承的贯穿部、形成在所述贯穿部内的第一止动部、和形成在所述贯穿部内的第二止动部;

第一紧固部,其被配置为包括所述贯穿孔的侧壁和所述外壳的前表面,且与所述第一止动部相接触从而紧固所述第一止动部;和

第二紧固部,其被配置为包括所述贯穿孔的侧壁和所述外壳的后表面,且与所述第二止动部相接触从而紧固所述第二止动部。

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