[发明专利]共价有机框架膜及其制备方法和用途在审
| 申请号: | 201180054518.8 | 申请日: | 2011-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN103209763A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | W·R·迪希特尔;J·帕克;A·慕克吉;M·P·利文多夫;A·沃尔;E·斯比特勒;J·科尔森 | 申请(专利权)人: | 康奈尔大学 |
| 主分类号: | B01J20/22 | 分类号: | B01J20/22;C01B31/02;C07F3/06;H01L31/042;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 戈晓美;杨颖 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 共价 有机 框架 及其 制备 方法 用途 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年9月13日提交的美国临时专利申请号为61/382,093的优先权,其通过引用并入本文。
关于联邦资助研究的声明
本发明在美国国家科学基金资助的基金号为CHE-0847926和DGE-0654193的政府支持下完成。美国政府对本发明拥有一定权利。
发明领域
本发明主要涉及共价有机框架膜、所述膜的制备方法、以及所述膜的用途。
发明背景
共价有机框架(COF)是一类新兴材料,其可预测地组织和排列有机半导体。COF使用可逆的共价键形成反应,从而将分子构筑块连接成周期性的二维(2-D)或三维网络。2-D变体结晶成含有层叠的芳香亚基的层状结构,其对于夹层激发子和电荷传输是很理想的。2-D COF表现出若干理想的和独特的特征。其连接基团的长度和相对方向确定了晶格结构,相比之下传统有机半导体的充填则不可预知。此外,其恒定的孔隙率为附加的功能化提供了一个连续的、高表面积的界面。
COF是一类高度多孔的纯有机晶体材料,其通过,例如硼酸与多元醇之间的共价键聚集在一起。COF能够表现出高度的热稳定性,其孔的尺寸能够被精确调整。这些性质使其成为用于气体贮存、分离和催化的很有潜力的候选物。
某些COF最令人兴奋的特征之一就是由π-堆积芳香构筑块组成的框架,其形成了具有电子偶联“墙”的多孔网络。这一性质最近启发研究人员创造出第一个具有芘(由四个稠合的苯环组成的平面烃)构筑块的半导体和光电导COF。然而,目前使用的COF的一个重大问题是缺乏对其纳米级形态学和方向的控制。结果,通常在供体和受体之间形成了非结构化的随机界面。
含有酞菁(大的平面大环)和金属酞菁的COF已被报道,基于镍-酞菁的组合COF是首个表现出高载电荷流动性的结晶多孔框架。然而,所有这些系统均由不溶性的松散粉末合成,未对多孔系统的方向进行控制,使其难于或不可能将该材料加入设备或甚至精确地测定其电子性质。其结果是,不可能在功能性设备如光伏电池或化学传感器中使用COF。
COF是对有机电子领域具有潜在革命性的材料。COF为组织有机半导体进入用于高效电荷传输的结构提供了一种新方法。与传统有机聚合物相比,目前局限COF的第二个问题是其合成所需的反应时间是3至5天。因此,基于现有COF技术的电子设备(太阳能电池、晶体管、发光二极管、RFID标签、电池、超级电容器等)将可能因过于昂贵而缺乏竞争力。
发明概述
本发明提供了一种多层结构,包括与多环芳香碳(PAC)层接触的共价有机框架(COF)层。所述COF层可以具有一种或多种堆积2-D COF。所述与COF层接触的PAC层可以在基片上,以使得所述PAC层在所述COF层与所述基片之间。本发明还提供了一种制备此类结构的方法以及此类结构的用途。
本发明是基于一个惊人的观察结果,即二维(2-D)COF层能够,例如在可操作地简单溶剂热条件下在单层石墨烯(SLG)上形成。2-D COF正常堆积在SLG表面,并且与COF粉末相比显示出改善的结晶性。据我们所知,本发明提供的COF层与此前已在科学文献中报道的任何COF样品相比均更为有序。
附图简述
图1。在单层石墨烯(SLG)上制备共价有机框架5(COF-5)的方法的示例。
图2。(A)从示例COF-5粉末获得的X-射线衍射数据;如图(A)所示的在粉末中随机方向的COF-5颗粒的示意图。(B)SLG/Cu上的COF-5膜的GID数据;如图(B)所示的在膜中定向的COF-5颗粒的示意图。(C)(A)(上部)和(B)(中部)的投射接近于Q⊥=0,以及COF-5的模拟粉末衍射光谱(下部)。(D)在最大Q⊥处获得的GID数据显示了COF-5膜(001)布拉格峰的偏离镜面投射。(E)在(B)、(C)、和(D)中研究的COF-5膜自上而下的扫描电镜(SEM)图像。
图3。(A)在SLG/Cu上的示例COF-5膜(生长30分钟,厚度195±20-nm)的横截面SEM图像和(B)膜的GID。(C)在SLG/SiO2上的COF-5膜(生长2小时,厚度94±5-nm)的横截面和(D)膜的GID。(E)在SLG/SiC上的COF-5膜(生长8小时,厚度73±3-nm)的横截面和(F)膜的GID。
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