[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法。

背景技术

现在批量生产的太阳能电池中，在硅基板的受光面形成有n电极、在背面形成有p电极的两面电极型的太阳能电池占据多数。但是，在两面电极型的太阳能电池中，在受光面中形成的n电极正下面的硅基板上没有太阳光入射，因而在该部分没有电流产生。

于是，提出了在太阳能电池的受光面不形成电极、在与受光面相反侧的背面形成有n电极和p电极二者的背面电极型太阳能电池。在该背面电极型太阳能电池中，太阳光的入射不会被形成在受光面的电极阻碍，因而原理上能期待高的转换效率。

作为背面电极型太阳能电池的制造方法，已知例如以下的制造方法(例如，参照美国专利第4927770号说明书)。

首先，在硅基板的受光面和背面的整面形成作为掩模的扩散控制掩模。在此，扩散控制掩模具有抑制杂质扩散到硅基板内的功能。

接着，除去硅基板背面的扩散控制掩模的一部分而形成开口部。

然后，使p型杂质从扩散控制掩模的开口部扩散到硅基板的背面，则仅在开口部形成p型杂质扩散层。

接着，在硅基板背面的扩散控制掩模全部除去后，再次在硅基板背面形成扩散控制掩模。然后，除去硅基板背面的扩散控制掩模的一部分，使n型杂质从开口部扩散到硅基板的背面，形成n型杂质层。

接下来，将硅基板背面的扩散控制掩模全部除去，由此在背面形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层。进一步通过形成纹理结构、防反射膜、钝化膜、电极等而完成背面电极型太阳能电池。

另外，公开了采用含有n型杂质的扩散剂和含有p型杂质的扩散剂来制造背面电极型太阳能电池的方法(例如，参照日本特开2009-76546号公报)。

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在美国专利第4927770号说明书中记载的制造方法中，为了在背面形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层，需要反复进行扩散控制掩模的形成、开口部形成、杂质扩散、扩散控制掩模除去的各工序这样的烦杂工序。

另外，在日本特开2009-76546号公报中记载的制造方法中，将保护层设置的工序和除去的工序是必须的，而根据扩散时的热处理条件，有时扩散层形成到不需要的地方。

本发明是鉴于以上以往的问题点而完成的，课题在于提供在背面电极型太阳能电池的制造工序中，能以简便的工艺在同一面上形成彼此不同的2种杂质扩散层的太阳能电池的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本发明包含以下形式。

<1>一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：

对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序，

对位于上述半导体基板的设有上述第1区域的面上且为上述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序，

对给予了上述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序，和

在上述形成了n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

<2>一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：

对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序，

对位于上述半导体基板的设有上述第1区域的面上且为上述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序，

对给予了上述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序，

在上述热扩散工序之前，在位于上述半导体基板的设有上述第1区域和第2区域的面上且为选自上述第1区域、第2区域、以及第1区域和第2区域以外的第3区域中的至少1个区域上设置保护层的工序，和

在上述形成了n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

<3>根据上述<2>所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述保护层是氧化物膜。

<4>根据上述<1>～<3>中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述n型杂质含有选自P(磷)和Sb(锑)中的至少1种元素。