[发明专利]显示装置用基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201180054303.6 申请日: 2011-11-02
公开(公告)号: CN103210494A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 国吉督章 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/1368;H01L27/146
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 用基板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置用基板,其特征在于,包括:

绝缘基板;

设置在所述绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层;和

设置在所述沟道区域的沟道保护层,

所述沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成,在设所述第一绝缘膜的折射率为Ra、所述第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下,Rb/Ra≥1.3的关系成立。

2.如权利要求1所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述叠层膜的叠层数为5层以上。

3.一种显示装置用基板,其特征在于,包括:

绝缘基板;

设置在所述绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层;和

设置在所述沟道区域、由绝缘性材料形成的沟道保护层,

在所述沟道保护层的与所述半导体层一侧相反的一侧的表面,形成有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。

4.如权利要求3所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述凹凸构造的相邻的所述凸部间或相邻的所述凹部间的距离为380nm以下。

5.如权利要求3或4所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述凸部的高度或所述凹部的深度为760nm以上。

6.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述半导体层为薄膜晶体管的半导体层。

7.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述半导体层构成光传感器。

8.一种显示装置,其特征在于,包括:

权利要求1~7中任一项所述的所述显示装置用基板;

与所述显示装置用基板相对配置的另一个显示装置用基板;和

设置在所述显示装置用基板与所述另一个显示装置用基板之间的显示介质层。

9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于:

所述显示介质层是液晶层。

10.一种显示装置用基板的制造方法,其特征在于,至少包括:

在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序;和

沟道保护层形成工序,在所述沟道区域形成沟道保护层,该沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜构成,在设所述第一绝缘膜的折射率为Ra、所述第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下,Rb/Ra≥1.3的关系成立。

11.一种显示装置用基板的制造方法,其特征在于,至少包括:

在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序;和

沟道保护层形成工序,在所述沟道区域形成沟道保护层,该沟道保护层由绝缘性材料形成,在该沟道保护层的与所述半导体层一侧相反的一侧的表面,具有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。

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