[发明专利]含N取代的二氮烯*二氧化物和/或N’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物有效
申请号: | 201180053707.3 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN103210047B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | B·诺勒;D·弗朗茨;Y·李;S·A·奥斯曼易卜拉欣;H·W·平德尔;S·S·文卡塔拉曼 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;C09G1/04;A01N51/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含水抛光组合物 二氧化物 光学器件 羟基 水分散性化合物 基底材料 磨料颗粒 烯氧化物 抛光 氧化物 制造 | ||
1.一种含水抛光组合物,其包含:
(A)至少一种水溶性或水分散性化合物,其选自N-取代的二氮烯二氧化物和N′-羟基-二氮烯氧化物盐;和
(B)至少一种类型的磨料颗粒;
(C)电荷反转剂;及至少一种具有至少3个在含水介质中不可离解的羟基的有机多元醇,由至少一种具有至少3个在含水介质中不可离解的羟基的单体形成的低聚物,由至少一种具有至少3个在含水介质中不可离解的羟基的单体形成的聚合物,或其组合,
其中N-取代的二氮烯二氧化物(A)具有通式I:
R[-N+(-O-)=N-OH]n (I),
其中变量R指包含或由至少一种选自以下的残基组成的结构部分:不含或含至少一个杂原子和/或至少一个双官能或三官能链接基团的单体、低聚及聚合,取代及未取代,饱和及未饱和的脂族和脂环族基团,以及不含或含至少一个杂原子的单体、低聚及聚合,取代及未取代的芳族基团;且其中指数n为1-1000的数字;
N-取代的N′-羟基二氮烯氧化物盐(A)具有通式II:
{R[-N(-O)-N-O]-n}m(Mm+)n (II),
其中变量R具有上述含义,M选自有机和无机,单体、低聚和聚合的阳离子,指数n和m均为1-1000的数字;
其中低聚物的重均分子量Mw为100-2500道尔顿,聚合物的重均分子量Mw为5000-500,000道尔顿。
2.根据权利要求1的含水抛光组合物,其特征在于n和m均为1-10的整数。
3.根据权利要求2的含水抛光组合物,其特征在于其基于抛光组合物的全部重量含有0.01-1000ppm化合物(A)。
4.根据权利要求1-3中任一项的含水抛光组合物,其特征在于所述磨料颗粒(B)选自氧化铝、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、二氧化钛、氧化锆、二氧化铈、氧化锌及其混合物。
5.根据权利要求4的含水抛光组合物,其特征在于所述磨料颗粒(B)包含或由二氧化铈组成。
6.根据权利要求4的含水抛光组合物,其特征在于所述磨料颗粒(B)通过动态光散射测量的平均粒径为1-1000nm。
7.根据权利要求1-3中任一项的含水抛光组合物,其特征在于其进一步含有至少一种与组分(A)和(B)不同的功能组分(C),且所述功能组分(C)选自与颗粒(B)不同的有机、无机和混合的有机-无机磨料颗粒,具有下限临界溶解温度LCST或上限临界溶解温度UCST的材料,氧化剂,钝化剂,配合或螯合剂,摩擦剂,稳定剂,流变剂,表面活性剂,金属阳离子和有机溶剂。
8.根据权利要求1的含水抛光组合物,其特征在于所述电荷反转剂(C)选自含有至少一个选自以下的阴离子基团的单体、低聚和聚合的化合物:羧酸根、亚磺酸根、硫酸根、膦酸根和磷酸根基团;以及在于具有至少3个在含水介质中不可离解的羟基的有机多元醇,由至少一种具有至少3个在含水介质中不可离解的羟基的单体形成的低聚物和聚合物选自单糖、二糖、低聚糖、多糖、脱氧糖、氨基糖、醛糖酸、酮糖醛酸、糖醛酸、醛糖二酸、糖醇和环醇,其中低聚物的重均分子量Mw为100-2500道尔顿,聚合物的重均分子量Mw为5000-500,000道尔顿。
9.根据权利要求1-3中任一项的含水抛光组合物,其特征在于其进一步含有至少一种与组分(A)和(B)不同的pH调节剂或缓冲剂(D)。
10.根据权利要求1-3中任一项的含水抛光组合物,其特征在于其pH值为3-10。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造