[发明专利]作为无机太阳能电池窗口层的有机半导体

权利要求书

1.器件，其包含：

阳极；

阴极；

无机基板；以及

至少一个有机窗口层，所述有机窗口层被放置在：

所述阳极和所述无机基板之间；和/或

所述阴极和所述无机基板之间。

2.权利要求1的器件，其中当与没有所述至少一个有机窗口层的器件相比时，所述器件表现出以下特性中的一种或多种：

在一个太阳AM1.5G光照下V_oc提高；

在一个太阳AM1.5G光照下功率转化提高；

肖特基势垒高度增强；或者

正向暗电流减少。

3.权利要求1的器件，其还包含位于所述无机基板上的至少一个无机外延层。

4.权利要求3的器件，其还包含被放置在所述无机基板和所述至少一个无机外延层之间的至少一个无机缓冲层。

5.权利要求3的器件，其中所述有机窗口层位于：

所述阳极和所述无机外延层之间；和/或

所述阴极和所述无机外延层之间。

6.权利要求1的器件，其中所述阳极包含选自p型或n型半导体的半导体材料。

7.权利要求6的器件，其中所述阳极包含ITO。

8.权利要求1的器件，其中所述阴极包含一种或多种足以与半导体材料发生欧姆接触的材料。

9.权利要求8的器件，其中所述足以与半导体材料发生欧姆接触的材料选自Zn、Au、Al、Ag、其合金、及其堆叠物。

10.权利要求1的器件，其中所述无机基板包含半导电材料。

11.权利要求10的器件，其中所述半导电材料选自Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、铜铟镓(二)硒（CIGS）及其组合。

12.权利要求3的器件，其中所述至少一个无机外延层包含至少一种III-V族材料、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、铜铟镓(二)硒（CIGS）及其组合。

13.权利要求12的器件，其中所述至少一个无机外延层包含至少一种选自GaAs和InP的材料。

14.权利要求3的器件，其中所述至少一个无机缓冲层包含至少一种III-V族材料。

15.权利要求14的器件，其中所述至少一个无机缓冲层包含至少一种选自GaAs和InP的材料。

16.权利要求1的器件，其中所述至少一个有机窗口层包含3,4,9,10-苝四甲酸二酐（PTCDA）或萘四甲酸酐（NTCDA）。

17.权利要求16的器件，其中所述至少一个有机窗口层的厚度最高为25nm。

18.权利要求1的器件，其中所述器件是肖特基势垒太阳能电池。

19.增强光敏器件的性能的方法，所述光敏器件具有阳极、阴极、无机基板，所述方法包括：

将至少一个有机窗口层放置在：

所述阳极和所述无机基板之间；和/或

所述阴极和所述无机基板之间。

20.权利要求19的方法，其中当与没有所述至少一个有机窗口层的器件相比时，所述器件表现出以下特性中的一种或多种：

在一个太阳AM1.5G光照下V_oc提高；

在一个太阳AM1.5G光照下功率转化提高；

肖特基势垒高度增强；或者

正向暗电流减少。

21.权利要求19的方法，其还包括位于所述无机基板上的至少一个无机外延层。

22.权利要求21的方法，其还包括将至少一个无机缓冲层放置在所述无机基板和所述至少一个无机外延层之间。

23.权利要求22的方法，其还包括将所述有机窗口层放置在：

所述阳极和所述无机外延层之间；和/或

所述阴极和所述无机外延层之间。

24.权利要求19的方法，其中所述阳极包含半导体材料，所述半导体材料选自p型或n型半导体材料。