[发明专利]声抑制系统及相关方法

权利要求书

1.一种包括容器的声抑制系统，其中多个声目标被包围在所述容器中，

其中：

每个声目标包括包封气体的基片材料，

每个声目标被配置为具有允许通过输入声波使所述目标被激发的谐振频率，及

所述多个目标的谐振频率可调节以抑制在设定的频率范围的声能量。

2.根据权利要求1所述的声抑制系统，其中，所述谐振频率基于所述声目标的一个或多个属性是可调节的，所述属性选自由下列项构成的组：大小、形状、基片材料与气体体积的比率、气体种类、气体组成、内部或外部压力、基片材料的组成、和/或基片材料的表面张力。

3.根据权利要求1或2所述的声抑制系统，其中，所述基片材料是天然的或合成的材料。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的声抑制系统，其中，至少一个声目标在选自由下列项构成的组的一个或多个属性上不同于另一声目标：大小、形状、基片材料与气体体积的比率、气体种类、气体组成、内部或外部压力、基片材料的组成、和/或基片材料的表面张力。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述声目标在选自由下列项构成的组的一个或多个属性上是一致的：大小、形状、基片材料与气体体积的比率、气体种类、气体组成、内部或外部压力、基片材料的组成、和/或基片材料的表面张力。

6.根据前述权利要求中任一项所述的声抑制系统，其中，所述容器悬挂于需要声抑制的辅助结构。

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述容器被固定到需要声抑制的辅助结构。

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述容器在需要声抑制的两个辅助结构之间并固定到所述两个辅助结构。

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述声目标被直接包含到需要声抑制的结构材料中，所述结构材料用作所述容器，所述声抑制系统具有主要包含所述结构材料的均质部分和包含所述结构材料和所述声目标的异质部分。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述声抑制系统适于抑制在低频率范围内的声能量。

11.根据权利要求10所述的声抑制系统，其中，所述低频率范围是在几百赫兹以下。

12.根据权利要求1-9中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述声抑制系统适于抑制在中频范围的声能量。

13.根据权利要求12所述的声抑制系统，其中，所述中频范围是从几百到几千赫兹。

14.根据权利要求1-9中的任一项所述的声抑制系统，其中，所述声抑制系统适于抑制在高频范围的声能量。

15.根据权利要求14所述的声抑制系统，其中，所述高频范围是在几千赫兹以上。

16.一种用于制造声抑制系统的方法，所述方法包括将声目标放置在容器中，

其中：

每个声目标包括包封气体的基片材料，

每个声目标被配置为具有允许通过输入声波使所述目标被激发的谐振频率，及

所述多个目标的谐振频率可调节以抑制在设定的频率范围的声能量。

17.一种用于制造根据权利要求1-15中的任一项所述的声抑制系统的方法，包括将所述声目标放置在所述容器中。

18.一种用于制造根据权利要求1-15中的任一项所述的声抑制系统的方法，包括：

将声目标放置到临时的容器中;

熔化基片材料;

将所熔化的基片材料浇注到含有所述声目标的所述临时的容器中，其中，所述基片材料能够在冷却时固化;及

冷却所述基片材料以形成包含所述声目标的固体材料，从而提供所述声抑制系统。

19.一种用于制造根据权利要求1-15中的任一项所述的声抑制系统的方法，包括：

熔化基片材料;

将气体泵送到所熔化的基片材料中以形成气泡，其中，泵送参数用来控制气泡的大小、位置和分布;及

冷却所熔化的基片材料以形成包含所述气泡的固体基片材料，所述气泡用作所述声目标，因此提供所述声抑制系统。