[发明专利]氧化退火处理装置和使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种氧化退火处理装置，其特征在于，包括：

密闭容器状的装置主体；

配置在所述装置主体的内部的远红外线面状加热器；

向所述装置主体内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管；

将所述装置主体内的气体排出的排气管；和

喷嘴喷射口，其与所述氧补充气体供给管连通，对基板的氧缺陷部位喷射所述包含水蒸气和氧气的氧补充气体。

2.如权利要求1所述的氧化退火处理装置，其特征在于：

还包括使所述装置主体的内部空间充满氮气的氮气供给管，

在使所述装置主体充满所述氮气的状态下，从所述喷嘴喷射口喷射所述氧补充气体。

3.如权利要求1或2所述的氧化退火处理装置，其特征在于：

所述基板为薄膜晶体管，

所述氧缺陷部位为在AC溅射处理中产生的靶的接缝。

4.如权利要求3所述的氧化退火处理装置，其特征在于：

所述喷嘴喷射口根据所述靶的接缝的数量配置。

5.一种氧化退火处理装置，其特征在于，包括：

密闭容器状的装置主体；

配置在所述装置主体的内部的远红外线面状加热器；

向所述装置主体内供给氮气的氮气供给管；

将所述装置主体内的气体排出的排气管；和

喷嘴喷射口，其与所述氮气供给管连通，对基板的氧过剩部位喷射氮气。

6.如权利要求5所述的氧化退火处理装置，其特征在于：

所述基板为薄膜晶体管，

所述氧过剩部位为在AC溅射处理中产生的靶的接缝以外的部位。

7.如权利要求1～6中任一项所述的氧化退火处理装置，其特征在于：

所述远红外线面状加热器包括云母加热器和红外线辐射平板。

8.一种使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：

一边用远红外线面状加热器对装置主体内的基板进行加热，一边对所述基板的氧缺陷部位局部地喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体。

9.一种使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：

一边在装置主体内充满氮气的状态下，用远红外线面状加热器对基板进行加热，一边对所述基板的氧缺陷部位局部地喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体。

10.如权利要求8或9所述的使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：

包括AC溅射处理，在所述退火处理之前，按照并列设置的多对靶中的每对成对的靶改变极性地施加交流电压，

所述氧缺陷部位为在所述AC溅射处理中产生的靶的接缝。

11.一种使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：

一边在装置主体内用远红外线面状加热器对基板进行加热，一边对所述基板的氧过剩部位局部地喷射氮气。

12.如权利要求11所述的使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：

包括AC溅射处理，在所述退火处理之前，按照并列设置的多对靶中的每对成对的靶改变极性地施加交流电压，

所述氧过剩部位为在所述AC溅射处理中产生的靶的接缝以外的部分。