[发明专利]通过用有机蚀刻剂处理而生产层结构体的方法以及可由此获得的层结构体无效
| 申请号: | 201180053372.5 | 申请日: | 2011-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN103210451A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | U·古恩特曼;D·盖瑟 | 申请(专利权)人: | 赫劳斯贵金属有限两和公司 |
| 主分类号: | H01B1/12 | 分类号: | H01B1/12;C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 肖威;刘金辉 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 有机 蚀刻 处理 生产 结构 方法 以及 由此 获得 | ||
1.一种生产层结构体的方法,其包括如下工艺步骤:
i)提供包括基材和施加至所述基材上且包含导电聚合物的导电层的层结构体;
ii)使所述导电层的至少一部分表面与包含可释放氯、溴或碘的有机化合物的组合物Z1接触。
2.根据权利要求1的方法,其中所述组合物Z1为具有至少4的pH值的水溶液或分散体。
3.根据权利要求1或2的方法,其中所述导电层除导电聚合物之外,还包含聚阴离子。
4.根据权利要求3的方法,其中所述导电层包含由聚(3,4-乙撑二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸构成的配合物。
5.根据前述权利要求中任一项的方法,其中所述导电层可通过包括如下工艺步骤的方法获得:
ia)提供基材;
ib)将包含导电聚合物和溶剂的组合物Z2施加至所述基材的至少一部分表面上;
ic)至少部分移除所述溶剂以获得导电层。
6.根据权利要求5的方法,其中所述组合物Z2为包含聚(3,4-乙撑二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸的配合物的分散体。
7.根据前述权利要求中任一项的方法,其中所述可释放氯、溴或碘的有机化合物包含至少一种结构要素(I):
其中:
-Hal为选自氯、溴或碘的卤素,
-Y选自N、S和P,和
-X1和X2可相同或不同且各自分别表示卤素、碳原子或硫原子,且其中一个或多个其他原子可任选键接至X1和X2上。
8.根据权利要求7的方法,其中所述有机化合物包含至少两种其中Hal表示氯原子或溴原子,Y表示氮的结构要素(I),其中所述至少两种结构要素(I)可任选彼此不同。
9.根据权利要求7的方法,其中所述有机化合物包含结构要素(II):
其中氯原子或溴原子键接于至少两个氮原子上。
10.根据权利要求9的方法,其中所述有机化合物为二氯二异氰脲酸钠、二溴二异氰脲酸钠、三溴异氰脲酸或三氯异氰脲酸。
11.根据权利要求7的方法,其中所述有机化合物包含结构要素(III):
其中氯原子或溴原子键接于两个氮原子上,且其中R1和R2可相同或不同且表示氢原子或C1-C4烷基。
12.根据权利要求11的方法,其中所述有机化合物为1-溴-3-氯-5,5-二甲基乙内酰脲、1-氯-3-溴-5,5-二甲基乙内酰脲、1,3-二氯-5,5-二甲基乙内酰脲或1,3-二溴-5,5-二甲基乙内酰脲。
13.根据权利要求1-7中任一项的方法,其中所述有机化合物仅包含一种结构要素(I),其中Y表示N。
14.根据权利要求13的方法,其中所述有机化合物为N-氯代琥珀酰亚胺或N-溴代琥珀酰亚胺。
15.根据权利要求13的方法,其中所述有机化合物包含结构要素(IV):
其中氯原子或溴原子键接于氮原子上,其中R3、R4、R5和R6可相同或不同且表示氢原子或可任选被溴或氯取代的C1-C4烷基。
16.根据权利要求15的方法,其中所述有机化合物选自3-溴-5-氯甲基-2-唑烷酮、3-氯-5-氯甲基-2-唑烷酮、3-溴-5-溴甲基-2-唑烷酮和3-氯-5-溴甲基-2-唑烷酮。
17.根据权利要求13的方法,其中所述有机化合物为卤胺宗、N,N-二氯磺酰胺、N-氯-N-烷基磺酰胺或N-溴-N-烷基磺酰胺,其中烷基为C1-C4烷基。
18.根据前述权利要求中任一项的方法,其中所述组合物Z1为具有4-12的pH值的水溶液或分散体。
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