[发明专利]利用量子点的植物生长用LED

权利要求书

1.一种植物生长用LED，其通过将混合了具有互不相同的粒径分布的1～5个量子点粒子组的浆料填充在LED元器件所处的槽之后使其硬化来制造。

2.一种植物生长用LED，其特征在于，所述量子点具有在金属氧化物-金属纳米粒子上涂敷有量子点而成的核壳结构。

3.根据权利要求1所述的植物生长用LED，其特征在于，所述具有互不相同的粒径分布的上述量子点的光致发光峰在450nm～700nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的植物生长用LED，其特征在于，所述量子点选自由如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe之类的II-VI族化合物半导体纳米晶体，如GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs之类的III-V族化合物半导体纳米晶体或它们的混合物组成的组；或选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HggZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe组成的组；或选自由GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、InAlPAs组成的复合物组。

5.根据权利要求1所述的植物生长用LED，其特征在于，所述量子点的大小为1nm～20nm。

6.根据权利要求2所述的植物生长用LED，其特征在于，所述金属纳米粒子的大小为5nm～50nm。

7.根据权利要求2所述的植物生长用LED，其特征在于，所述金属纳米粒子选自由金、钯、铂、镍、钴、铁、钌、银、铜、镉、银或包含它们的混合材料组成的组。

8.根据权利要求2所述的植物生长用LED，其特征在于，所述金属氧化物的厚度为1nm～50nm，所述金属氧化物为二氧化硅、二氧化钛、ZnO、Al₂O₃、沸石或它们的混合物。

9.根据权利要求2所述的植物生长用LED，其特征在于，所述金属氧化物-金属纳米粒子利用高分子材料对金属纳米粒子的表面进行涂敷之后，利用碱性水溶液及金属氧化物前体进行处理。

10.根据权利要求2所述的植物生长用LED，其特征在于，所述金属氧化物-金属纳米粒子和量子点的重量比以过渡金属和量子点为基准计为1∶10至1∶500。