[发明专利]III族氮化物发光器件

权利要求书

1. 一种方法，包括：

生长一种生长在衬底上的III族氮化物结构，该III族氮化物结构包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层；

将该III族氮化物结构附着到载具；以及

移除该衬底，其中：

该衬底为RAO₃(MO)_n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数；

该衬底具有面内晶格常数a_衬底；

该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a_层；以及

[(|a_衬底-a_层|)/a_衬底]*100%不大于1%。

2. 根据权利要求1的方法，其中：

该III族氮化物结构包括一种仅仅包括三元、四元和/或五元III族氮化物层的区域；以及

所述仅仅包括三元、四元和/或五元III族氮化物层的区域厚于2μm。

3. 根据权利要求1的方法，其中该衬底为ScAlMgO₄。

4. 根据权利要求1的方法，其中该III族氮化物结构包括晶格匹配到该衬底的至少一个层。

5. 根据权利要求1的方法，其中该III族氮化物结构包括第一层，该第一层直接接触第二层，其中第一层和第二层之间的界面不具有极性电荷。

6. 根据权利要求5的方法，其中该第一层为Al_0.06In_0.17Ga_0.77N并且该第二层为In_0.14Ga_0.86N。

7. 根据权利要求1的方法，其中生长包括生长布置在该衬底和该发光层之间的基底区域，该基底区域包括接近该衬底的第一层和接近该发光层的第二层，其中第一层的带隙大于第二层。

8. 根据权利要求7的方法，其中：

该衬底为ScAlMgO₄；

该第一层为下述的其中之一：In_0.14Ga_0.86N；以及晶格匹配到衬底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN，组成x和y满足关系y=0.136+0.228*x，x+y≤1；以及

该第二层为下述的其中之一：Al_0.06In_0.17Ga_0.77N、Al_0.6In_0.13Ga_0.27N和四元层Al_xIn_yGa_1-x-yN，铟组成y在0.14和0.32之间，满足x=2*y-0.28。

9. 根据权利要求1的方法，其中生长包括生长布置在该衬底和该发光层之间的基底区域，该基底区域包括接近该衬底的第一层和接近该发光层的第二层，其中第一层的极化不同于第二层。

10. 根据权利要求9的方法，其中：

该衬底为ScAlMgO₄；

该第一层为下述的其中之一：In_0.14Ga_0.86N；以及晶格匹配到衬底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN，组成x和y满足关系y=0.136+0.228*x，x+y≤1；以及

该第二层为下述的其中之一：GaN；In_yGa_1-yN，y<0.13；Al_0.5In_0.25Ga_0.25N；晶格匹配到衬底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN层；和In_0.29Al_0.71N。