[发明专利]用于高温应用的TCO涂层以及涂覆基底无效

专利信息
申请号: 201180052607.9 申请日: 2011-10-27
公开(公告)号: CN103298761A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: G·L·普法夫;J·E·布朗利;A·J·克里斯科;K·H·W·哈蒂格;K·J·伯罗斯;H·P·帕蒂尔 申请(专利权)人: 卡迪奈尔镀膜玻璃公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C03C17/36
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 高温 应用 tco 涂层 以及 基底
【权利要求书】:

1.一种主表面具有涂层的玻璃基底,所述涂层由基底向外依次包含:

包含折光指数高于玻璃的折光指数的介电材料的第一透明介电膜;

包含二氧化硅的第二透明介电膜;

包含掺杂铝的氧化锌的透明导电氧化物膜;和

包含氧化锡的第三透明介电膜。

2.权利要求1的玻璃基底,其中所述第一透明介电膜包含氧化锡。

3.权利要求1的玻璃基底,其中所述透明导电氧化物膜包含掺杂约0.5%-约4%铝的氧化锌。

4.权利要求1的玻璃基底,其中所述透明导电氧化物膜的厚度为约5000-约

5.权利要求1的玻璃基底,其中所述第一透明介电膜的厚度为约100-约

6.权利要求1的玻璃基底,其中所述第二透明介电膜的厚度为约250-约

7.权利要求1的玻璃基底,其中所述第三透明介电膜的厚度为约400-约

8.权利要求1的玻璃基底,其中所述第三透明介电膜具有双层结构,该双层结构包含第一部分吸收层和第二覆盖的非吸收层。

9.权利要求8的玻璃基底,其中所述第一部分吸收层的厚度为约250-约非吸收层的厚度为约250-约并且第一部分吸收层和非吸收层的结合厚度为约500-约

10.权利要求1的玻璃基底,其中所述涂层的片电阻在热处理之后小于约10Ω/平方。

11.权利要求1的玻璃基底,其中所述涂层的电阻率在热处理之后小于约8×10-4Ω/cm。

12.权利要求1的玻璃基底,其中所述涂层的吸收在热处理之后小于约6%。

13.权利要求1的玻璃基底,其中所述涂层的平均表面粗糙度值在热处理之后小于约8nm。

14.一种热处理过的主表面上具有涂层的玻璃基底,所述涂层包含透明导电氧化物膜,该透明导电氧化物膜包含掺杂铝的氧化锌,其中所述涂层的片电阻小于10Ω/平方且吸收为7%或更小。

15.权利要求14的玻璃基底,其中所述透明导电氧化物膜掺杂约0.5-约4%的铝。

16.权利要求14的玻璃基底,其中所述透明导电氧化物的厚度为约5000-约

17.权利要求14的玻璃基底,其中所述涂层由基底向外依次包含:

包含氧化锡的第一透明介电膜;

包含二氧化硅的第二透明介电膜;

包含锌铝氧化物的透明导电氧化物膜;和

包含氧化锡或氧化钛的第三透明介电膜。

18.权利要求14的玻璃基底,其中所述涂层由基底向外依次包含:

厚度约100-约的第一透明介电膜;

厚度约250-约且折光指数低于第一透明介电层的第二透明介电膜;

厚度约5000-约的透明导电氧化物膜;和

厚度约400-约的第三透明介电膜。

19.一种形成具有主表面的涂覆玻璃基底的方法,其包括:

提供具有主表面的玻璃基底;

在玻璃基底的主表面上沉积第一透明介电膜;

在第一透明介电膜上沉积第二透明介电膜;

在第二透明介电膜上沉积透明导电氧化物膜;和

在透明导电膜上沉积第三介电膜。

20.权利要求19的方法,其中所述第一透明介电膜的折光指数大于玻璃的折光指数。

21.权利要求19的方法,其中所述第一透明介电膜包含氧化锡;所述第二透明介电膜包含二氧化硅;所述透明导电氧化物膜包含掺杂铝的氧化锌;并且所述第三透明介电膜包含氧化锡。

22.权利要求19的方法,其中所述沉积第三透明介电膜的步骤包含沉积具有双层结构的第三透明介电膜,其包括部分吸收层和非吸收层。

23.权利要求19的方法,其还包括热处理涂覆玻璃基底的步骤。

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