[发明专利]用于制作至少一个集成电路组件的互连或重定向线路的方法在审
申请号: | 201180052550.2 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN103168348A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | B.迪博瓦;R.科舒瓦 | 申请(专利权)人: | 格马尔托股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/538 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;李浩 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制作 至少 一个 集成电路 组件 互连 定向 线路 方法 | ||
本发明涉及用于制作集成电路组件的互连或重定向线路的方法以及这样得到的组件。
本发明所涉及的组件能够采取各种形式来封装,例如采取电子盒、芯片卡的模块、特别是大容量存储卡格式的小电子物件、微SIM(用户标识模块)或插入式SIM、微型UICC(通用集成电路卡)、3FF格式的微SIM或者采取M2M(机-机)类型的通信模块的形式。它们还可采取表面安装组件(CMS或SMD)的形式来封装。
这些便携电子组件特别是在健康、银行业务、电信或身份控制( )方面得到应用,并且优选地受到保护。
在现有技术中,专利申请EP0901688 A1描述一种用于通过在集成电路芯片的有源面(face active)上沉积液体导电材料来制作集成电路电子组件的电触点的重定向的方法。首先在除了接触垫之外的整个有源表面之上制作一层绝缘体。重定向/互连导电轨线(conductrices de redirection/interconnexion)限定在芯片的有源表面(surface active)中。由导电材料所制成的轨线从垫朝芯片外部定向。
这个文献描述作为现有技术、嵌入ISO 7816卡格式的卡体中的芯片,其中芯片的有源面从表面向外定向并且露出(affleurant)。通过在芯片卡体的表面上以及部分在芯片的有源表面上沉积导电材料,来制作接触区和轨线。它们从垫延伸到芯片的周边,然后延伸到位于卡体表面上的接触区。
本发明人提出改进图1所示并且在研制过程中的方法。这种方法包括下列步骤:
-在封装载板(substrate de conditionnement)上部分覆盖(enrobage partiel)或固定至少一个芯片,从而提供在其有源面上具有电接触垫朝外部定向的芯片的有源面;
-在除了应用所需的接触垫之外的有源表面的全部或部分之上直接制作(在一个操作中)一层绝缘体。有利地但并非必要地,一些垫能够通过沉积绝缘层来掩蔽;
-以及制作至少部分在所述绝缘层之上从接触垫一直延伸到外部点(p)的导电重定向或互连轨线;
-绝缘层包括构成从芯片的有源表面的一个边缘一直延伸到载板表面(S)的桥的至少一部分。
该方法是突出的,因为所述外部点位于并且建立于载板上,以及因为导电重定向或互连轨线一直延伸到载板上设置的点,从而留下桥。
在实现期间,导电材料的轨线从垫朝芯片外部定向。
如果其上沉积导电材料的载板的材料沿沉积的路径全部是不同的,和/或如果存在载板等级的差,则导电材料的这些沉积可能品质低劣(附着或精确)或者引起短路。这是因为诸如采取液体形式的墨之类的导电材料具有沿芯片/载板界面处的芯片边缘流动的倾向,其中具有过于邻近的两条线路或轨线之间的短路的风险。
短路可在没有绝缘的芯片边缘发生。导电墨实际上可通过边缘与覆盖之间的毛细作用而流动。另外,90°梯级或台肩可引起导电材料的缺少,因为所有分配给梯级的墨由于重力而朝其底部集中,并且可引起电不连续性。梯级水平也可能逐个组件有所不同,即使同时具有相同性质。
当前技术的缺点是要求用于防止采用绝缘材料来覆盖垫的高准确性。由此可减缓沉积速率。在一些情况下,绝缘材料的图案跟随相对芯片的有源表面的偏移而与垫重叠。
本发明响应上述缺点并且提高沉积速率。
更具体来说,本发明提出使在经过垫或互连之间的导电再分配线路(RDL)的直接沉积之前将载板的有源顶面上设置的有源和无源组件绝缘的步骤期间对准确性的要求为最小。优选地,本发明针对免于表面材料的表面形貌、表面抛光和/或物理或化学性质。
在其原理中,本发明提出依赖与现有技术相比具有简化图案的绝缘层来准许芯片互连。绝缘层设置成跨芯片的至少一个边缘和载板,以使得它们重叠。
绝缘层可在芯片之上延伸,从而重叠集成电路的芯片的两个边缘而没有覆盖互连垫。它可通过例如覆盖物的喷墨印刷、丝网印刷或喷涂之类的直写技术来沉积。这个层用作芯片的有源表面上的绝缘体以及集成电路的边缘与载板之间的桥,以使得特别降低梯级水平的差和各种材料之间的界面凹腔。
与现有技术不同,不需要知道位于芯片同一侧的垫之间的间距以便在没有覆盖垫的情况下沉积绝缘体或者垫与芯片的直接边缘之间的间距。
为此,本发明的主题是按照权利要求1所述的方法以及按照权利要求5所述的组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造