[发明专利]非水电解质二次电池用正极集电体的制造方法及非水电解质二次电池用正极的制造方法有效
申请号: | 201180052263.1 | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN103403934B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 秋山大作;石田辉和;高桥胜;矢熊纪子;大串亮;出口友香里 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/70 | 分类号: | H01M4/70;H01M4/131;H01M4/136;H01M4/1391;H01M4/66 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水电 二次 电池 正极 集电体 制造 方法 | ||
技术领域
本发明为关于使用于锂离子二次电池等之非水电解质二次电池的正极集电体之制造方法、及正极之制造方法。
背景技术
非水电解质二次电池因堪重负荷放电、能藉由充电来重复使用,而作为可携式电源用于移动电话、笔记本电脑等各式各样的电子机器。伴随着为了一步步实现此等电子机器之小型化/轻量化,对于作为可携式电源之非水电解质二次电池,要求更小型化/轻量化/高能量密度化之要求亦高涨。
而近年在石油资源之上涨、国际地球环境保护运动的高涨的背景之下,电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车等备受注目,且其一部份被实用化。此等驱动系统中,作为补助用电源等的二次电池为不可欠缺,而期望着可对应汽车之急起动/急加速的高输出之二次电池。由于这样的背景,展望二次电池中能量密度最高、且可展现高输出之非水电解质二次电池。
响应此等要求之非水电解质二次电池之中,特别以锂离子二次电池因可得到高能量密度而被广为使用,市场亦显著成长中。
锂离子二次电池之正极为通常于以铝等所构成之集电体上,形成包含锂钴氧化物、锂镍氧化物、锂锰氧化物、锂铁氧化物、磷酸锂铁等含有锂之过渡金属化合物的活性物质层。例如,下述专利文献1中,已记载为了防止因伴随着充放电之活性物质的膨胀收缩等使活性物质与集电体之界面的密着性恶化,使集电体表面在氢氯酸中阳极氧化再粗化后,于该粗化面形成活性物质层之正极的制造方法。
先前技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2008-210564号公报
发明内容
技术问题
但是,本案发明人经研讨发现,过去的正极之制造方法有提升活性物质与集电体之间的电子传导性之困难。
本发明有鉴于上述实情,提供可提升活性物质与集电体之间的电子传导性之非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法、及非水电解质二次电池用正极之制造方法。
技术方案
本发明之非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法,为以蚀刻剂粗化处理铝制集电基材之表面之非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法,前述蚀刻剂为由包含碱源与两性金属离子之碱性水溶液系蚀刻剂、及包含三价铁离子源、二价铜离子源、锰离子源、与无机酸之三价铁离子水溶液系蚀刻剂中所选出的一种以上蚀刻剂。
本发明之非水电解质二次电池用正极之制造方法,为于铝制正极集电体上形成活性物质层之非水电解质二次电池用正极之制造方法,其中前述铝制正极集电体为以上述本发明之非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法所制得的正极集电体,再于前述正极集电体之经粗化处理的表面上形成前述活性物质层。
又,上述本发明之「铝」可为由铝所构成者,亦可为由铝合金所构成者。而本说明中「铝」为指铝或铝合金。
发明效果
依据本发明的非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法及非水电解质二次电池用正极之制造方法,因以特定蚀刻剂粗化处理铝制集电基材之表面,而增加了集电体与活性物质之接触面积,被认为可提升活性物质与集电体之间的电子传导性。
附图说明
图1为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄实施例1之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图2为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄实施例2之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图3为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄实施例3之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图4为以倍率:10000倍、撮影角度:正上方之条件拍摄实施例3之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图5为以倍率:3500倍之条件拍摄实施例3的集电体之截面的扫描式电子显微镜相片。
图6为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄实施例4之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图7为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄实施例5之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图8为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄比较例1的集电体表面之扫描式电子显微镜相片。
图9为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄比较例2之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
图10为以倍率:3500倍、撮影角度:45°之条件拍摄比较例3之集电体的粗化面之扫描式电子显微镜相片。
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