[发明专利]磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质

说明书

关联申请的相互参照

本申请主张基于2010年10月26日申请的日本专利申请2010-240184号及2011年4月19日申请的日本专利申请2011-92631号的优先权，将其全部的公开内容利用参照纳入本说明书中。

技术领域

本发明涉及用于作为硬盘驱动器用热辅助磁记录介质中的软磁性底层(SUL层)使用的Co系磁记录用软磁性合金、以及使用了该合金的溅射靶材及磁记录介质。

背景技术

近年来，磁记录技术的进步十分明显，为了实现驱动器的大容量化，磁记录介质的高记录密度化正在推进之中，正在研究与以往普及的垂直磁记录介质相比可以进一步实现高记录密度化的热辅助磁记录方式。

热辅助磁记录方式是在利用激光加热磁记录介质的同时记录数据的方式。当磁记录介质的高密度化推进时，磁性记录的数据因周围的热的影响而消失的热起伏的问题就会变得明显。为避免该热起伏的问题，需要提高记录介质中所用的磁性材料的顽磁力。但是，如果顽磁力过高，就会无法记录。解决该问题的方式是热辅助磁记录方式。

另一方面，当加热记录介质时，顽磁力就会下降，从而可以记录，当记录后介质冷却时，顽磁力会再次变高，因此在热起伏方面变强。作为热辅助方式用的磁记录介质，例如研究过日本特开2010-182386号公报(专利文献1)中所示的磁记录介质。像该专利文献1中公开的那样，对于软磁性层要求非晶，而热辅助方式如上所述，要将记录介质加热。由此，对于专利文献1中所示的软磁性层用合金，要求即使在加热时也不会结晶化的、足够高的结晶化温度。但是，根据日本特开2001-110044号公报(专利文献2)，专利文献1中所示的软磁性层的结晶化温度约为400℃(670K)，因此存在发生结晶化的问题。

另外，在增本健著《アモルフアス金属の基礎(无定形金属的基础)》OHM公司、1982，P94(非专利文献1)中所公开的组成下，显示出800K左右的结晶化温度，然而由于使用了Si、Ge、P、B、C之类的半金属，因此在用于软磁性层中时在耐腐蚀性方面存在问题。另外，就非磁性的合金而言，如非专利文献2中所示，也介绍过显示出超过800K的结晶化温度的合金，然而在软磁性膜用途中，要求具有磁性，因此无法适用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-182386号公报

专利文献2：日本特开2001-110044号公报

非专利文献

非专利文献1：增本健著《アモルフアス金属の基礎(无定形金属的基础)》OHM公司、1982，P94

非专利文献2：OH JE，WOOLLAM J A，AYLESWORTHKD，SELLMYER D J，POUCH J J、J Appl Phys.，Vol.60，No.12PP.4271～4286，1986

发明的内容

如上所述，对于专利文献1中的合金的软磁性层要求非晶，然而由于热辅助方式要将记录介质加热，因此就专利文献1中所示的软磁性层而言存在发生结晶化的问题。另外，如果是非专利文献1中公开的组成，则显示出800K左右的结晶化温度，然而由于使用了Si、Ge、P、B、C之类的半金属，因此在用于软磁性层中时在耐腐蚀性方面存在问题。

本发明人等此次得到如下的见解，即，在Co合金中，(1)利用Zr、Hf和/或Ti这样的非晶化促进元素的添加可以确保无定形性；(2)利用V、Nb、Ta、Cr、Mo和/或W的添加可以实现高结晶化温度，并且还可以有助于无定形性的提高；(3)利用Ni和/或Mn的添加可以调整饱和磁通密度；(4)利用Al和/或Cu的添加可以实现耐腐蚀性的提高；(5)利用Si、Ge、P、B和/或C的添加可以实现无定形性的改善，从而可以提供能够实现优异的特性的磁记录用软磁性合金。

所以，本发明的目的在于，提供饱和磁通密度、非晶性、结晶化温度及耐腐蚀性优异的热辅助磁记录介质用软磁性合金、使用了它的溅射靶材及磁记录介质。

根据本发明的一个方式，提供一种磁记录用软磁性合金，其以at％计，包含：

Fe：0～70％、

(A)5～20％的选自Ti、Zr、及Hf中的1种或2种以上的元素、

(B)0～30％的选自Cr、Mo、及W中的1种或2种以上的元素、

(C)0～30％的选自V、Nb、及Ta中的1种或2种以上的元素、

(D)0～30％的选自Ni及Mn中的1种或2种元素、