[发明专利]具有零温度系数电容器的集成电路

权利要求书

1.一种电容器，其包括：

电容器下板，所述电容器下板包含导电材料；

在所述电容器下板上形成的二氧化硅的电容器介电层，所述电容器介电层具有1.7×10²⁰至2.3×10²⁰atmos/cm³的磷密度，使得除了磷、硅和氧之外，所述电容器介电层中的原子的总密度小于1×10¹⁸atmos/cm³；和

在所述电容器介电层上形成的电容器上板，所述电容器上板包含导电材料。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中所述电容器介电层的厚度在45纳米和55纳米之间。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述电容器下板包含多晶硅。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中所述电容器上板包含选自由Ti、TiN、TiSiN、Ta、TaN、TaSiN、W、WN、WSiN和其任何组合组成的群组中的材料。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中所述电容器下板包含选自由铝、铜和金组成的群组中的金属。

6.一种集成电路，其包括：

衬底；和

在所述衬底上形成的电容器，所述电容器包含：

在所述衬底上形成的电容器下板，所述电容器下板包含导电材料；

在所述电容器下板上形成的二氧化硅的电容器介电层，所述电容器介电层具有1.7×10²⁰至2.3×10²⁰atmos/cm³之间的磷密度，使得除了磷、硅和氧之外，所述电容器介电层中的原子的总密度小于1×10¹⁸atmos/cm³；和

在所述电容器介电层上形成的电容器上板，电容器上板包含导电材料。

7.根据权利要求6所述的电路，进一步包括在所述衬底上形成的金属氧化物半导体（MOS）晶体管，其包含由与所述电容器下板相同的材料形成的晶体管栅极电极。

8.根据权利要求6所述的电路，其中所述电容器介电层的厚度在45纳米和55纳米之间。

9.根据权利要求6所述的电路，进一步包含在所述衬底的顶表面上形成的场氧化层元件；并且其中在所述场氧化层元件上形成所述电容器下板；并且所述电容器下板包含多晶硅。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述电容器上板包含选自由Ti、TiN、TiSiN、Ta、TaN、TaSiN、W、WN、WSiN和其任何组合组成的群组中的材料。

11.根据权利要求6所述的电路，其中

所述集成电路进一步包含在所述衬底上形成的互连介电层，

在所述互连介电层上形成的金属互连线；

在所述互连介电层上与所述金属互连线同时地形成电容器下板；和

所述电容器下板包含选自由铝、铜和金组成的群组中的金属。

12.一种形成集成电路的工艺，其包括：

提供衬底；和

通过包含以下步骤的工艺，在所述衬底上形成电容器：

在所述衬底上形成电容器下板，所述电容器下板包含导电材料；

在所述电容器下板上形成二氧化硅的电容器介电层，使得除了硅和氧之外，所述电容器介电层中的原子的总密度小于1×10¹⁸atmos/cm³；

将磷放置到所述电容器介电层中，以便在所述电容器介电层中提供在1.7×10²⁰atmos/cm³和2.3×10²⁰atmos/cm³之间的磷密度。

在所述电容器介电层上形成电容器上板，所述电容器上板包含导电材料。

13.根据权利要求12所述的工艺，其中形成电容器下板的步骤同时形成晶体管的栅极电极。