[发明专利]积层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种积层陶瓷电容器，其具有陶瓷积层体、内部电极及外部电极，该陶瓷积层体是将多个由包含以BaTiO₃作为主成分的主相粒子、至少含有Re(Re包含Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、及Y的至少一种以上)、Ba、Ti的二次相粒子、及至少含有B(硼)或Li(锂)中的一方或双方的晶界相的介电陶瓷所构成的介电陶瓷层积层而成的近似长方体形状的陶瓷积层体，该内部电极是隔着上述介电陶瓷层以相面向且交替地导出至不同端面的方式形成的包含Cu或Cu合金的内部电极，该外部电极是形成在上述陶瓷积层体的两端面且分别与导出至该端面的上述内部电极电气连接的外部电极，其特征在于：在将上述内部电极所夹持的上述介电陶瓷层的层厚设为t，将测定上述介电陶瓷层中的上述主相粒子的粒径而获得的累积个数分布的累计20％、累计50％及累计95％时的粒径分别设为D20、D50、D95时，D20≤D50×70％、D50≤t/4、D95≤t/2、CV值(D20～D95之间的标准偏差/D50)＜40％。

2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其中在上述介电陶瓷层的任意的5μm×5μm的区域中，平均存在5个以上的粒径为0.1μm以上的上述二次相粒子。

3.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容器，其中在上述5μm×5μm的区域中，粒径大于主相粒子的累积个数分布的累计80％(D80)的二次相粒子的数量平均小于2个。

4.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其中用上述晶界相的Ba/Ti比除以上述主相粒子的粒子内的Ba/Ti比而获得的值为1.2以下。

5.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容器，其中用上述晶界相的Ba/Ti比除以上述主相粒子的粒子内的Ba/Ti比而获得的值为1.2以下。

6.根据权利要求3所述的积层陶瓷电容器，其中用上述晶界相的Ba/Ti比除以上述主相粒子的粒子内的Ba/Ti比而获得的值为1.2以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷层的层厚为2μm以下。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷包含介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物含有包含BaTiO₃的主成分、与包含Re、Mn、V、Mo、Cu、B、Li、Ca、Sr的副成分，并且在将上述介电陶瓷组成以BaTiO₃+aRe₂O₃+bMnO+cV₂O₅+dMoO₃+eCuO+fB₂O₃+gLi₂O+xSrO+yCaO(其中，Re是选自Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、及Y中的1种以上，a～g、x及y表示相对于100摩尔包含BaTiO₃的主成分的摩尔数)表示，将该介电陶瓷组合物所含有的(Ba+Sr+Ca)/Ti的摩尔比设为m时，0.10≤a≤0.50、0.20≤b≤0.80、0≤c≤0.12、0≤d≤0.07、0.04≤c+d≤0.12、0≤e≤1.00、0.50≤f≤2.00、0.6≤(100(m-1)+2g)/2f≤1.3、0.5≤100(m-1)/2g≤5.1、0≤x≤1.5、0≤y≤1.5。

9.根据权利要求8所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷组合物中作为杂质而含有的Si在将包含BaTiO₃的主成分设为100摩尔时，以SiO₂换算为1.0摩尔以下。

10.根据权利要求8所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷组合物可在烧结温度1030℃以下进行致密化。

11.根据权利要求8所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷层的层厚为2μm以下。

12.根据权利要求9所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷组合物可在烧结温度1030℃以下进行致密化。

13.根据权利要求9或10所述的积层陶瓷电容器，其中上述介电陶瓷层的层厚为2μm以下。