[发明专利]具有带有导热接触部的转换材料的发射辐射的器件以及其制造方法

权利要求书

1.发射辐射的器件（1），包括：

包含有半导体材料的辐射源（10），所述辐射源在工作时发射第一波长的第一辐射；

透明的本体（20），所述透明的本体包含有基质材料和无机填充料，并且所述透明的本体至少部分地设置在所述第一辐射的光路（11）中；

转换材料（30），所述转换材料至少部分地设置在所述第一辐射的所述光路（11）中，并且所述第一辐射至少部分地转换为具有更长的第二波长的第二辐射；

其中所述转换材料（30）至少部分地与所述透明的本体（20）的所述填充料的至少一部分导热地接触。

2.根据权利要求1所述的器件（1），

其中所述基质材料在室温下具有比所述填充料高出0.01至0.07的折射率和更高的热光系数，以至于在所述器件（1）的工作温度下，所述折射率的差≤0.015。

3.根据权利要求2所述的器件（1），

其中所述基质材料在室温下具有比所述填充料的所述折射率高出0.01至0.04，并且尤其高0.015至0.035的折射率。

4.根据权利要求2所述的器件（1），

其中在工作温度下，所述折射率的所述差≤0.01并且尤其≤0.0075。

5.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中所述填充料包含有金属氟化物、尤其是MgF₂、LiF、CaF₂、BaF₂或其组合。

6.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中所述填充料包含有玻璃、石英、球形SiO₂颗粒、硼硅玻璃或其组合。

7.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中所述填充料在所述透明的本体（20）中构成连续的填充料路径。

8.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中所述透明的本体（20）具有≥0.25W/mK并且尤其≥0.30W/mK的导热能力。

9.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中将所述透明的本体（20）掺以包含有所述转换材料（30）的颗粒。

10.根据前述权利要求之一所述的器件（1），

其中所述器件（1）包括转换元件（31），所述转换元件包含有所述透明的本体（20）和所述转换材料（30），并且所述转换元件与所述辐射源（10）间隔开。

11.根据前述权利要求之一所述的器件（1），其中所述转换元件（31）包围拱起的空心体。

12.根据权利要求1至8和11之一所述的器件，

其中所述器件包括转换元件（31），所述转换元件包含有所述转换材料（30）并且与所述辐射源（10）间隔开，其中所述透明的本体设置在所述转换元件（31）的背离所述辐射源（10）的侧上。

13.用于制造根据权利要求1至12所述的、发射辐射的器件（1）的方法，所述方法包括下述方法步骤：

（a）提供包含有半导体材料的辐射源（10），所述辐射源在工作时发射第一波长的第一辐射；

（b）生成透明的本体（20），所述透明的本体包含有基质材料和无机填充料；

（c）将所述透明的本体（20）设置在所述第一辐射的所述光路（11）中；以及

（d）将转换材料（30）设置在所述第一辐射的所述光路（11）中，以至于所述转换材料（30）中的至少一部分与所述透明的本体（20）的所述填充料中的至少一部分导热地接触。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中在所述方法步骤（b）中将所述基质材料根据所述填充料调节，使得所述基质材料在室温下具有高出0.01至0.07的折射率，并且在所述器件（1）的工作温度下所述折射率的差≤0.015。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中在所述方法步骤（b）中作为基质材料使用具有硅原子的有机取代基的至少一种硅树脂，并且在室温下，所述至少一种硅树脂的折射率经由具有不同数量的碳原子的有机取代基的变体和比例在1.40至1.54的范围中设置。