[发明专利]含三嗪环的聚合物和含有其的成膜组合物

权利要求书

1.一种含三嗪环的超支化聚合物，其特征在于，包含下式（1）的重复单元结构，

[化学式1]

其中R和R'各自独立地是氢原子或烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；和A是可以具有含1-20个碳的支链或脂环结构的亚烷基。

2.根据权利要求1的含三嗪环的超支化聚合物，其中A是具有含3-20个碳的脂环结构的亚烷基。

3.根据权利要求1的含三嗪环的超支化聚合物，其中A是至少一个选自下面式（2）-（14）的部分的部分，

[化学式2]

R¹和R²各自独立地是可以具有含1-5个碳的支链结构的亚烷基。

4.根据权利要求3的含三嗪环的超支化聚合物，其中A具有式（2）。

5.根据权利要求1的含三嗪环的超支化聚合物，其中所述重复单元结构具有下式（15），

[化学式3]

6.根据权利要求1的含三嗪环的超支化聚合物，其中所述重复单元结构具有下式（16），

[化学式4]

7.根据权利要求1-6的任一项的含三嗪环的超支化聚合物，其中所述聚合物在至少一端上被烷基、芳烷基、芳基、烷基氨基、含烷氧基甲硅烷基的烷基氨基、芳烷基氨基、芳氨基、烷氧基、芳烷氧基、芳氧基或酯基封端。

8.根据权利要求7的含三嗪环的超支化聚合物，其中所述聚合物具有至少一个末端三嗪环，该三嗪环被烷基、芳烷基、芳基、烷基氨基、含烷氧基甲硅烷基的烷基氨基、芳烷基氨基、芳氨基、烷氧基、芳烷氧基、芳氧基或酯基封端。

9.一种成膜组合物，其包含权利要求1-8的任一项的含三嗪环的超支化聚合物。

10.一种膜，其包含权利要求1-8的任一项的含三嗪环的超支化聚合物。

11.一种膜，其由权利要求9的成膜组合物获得。

12.一种电子器件，其包含基础材料和在该基础材料上形成的权利要求10或11的膜。

13.一种光学构件，其包含基础材料和在该基础材料上形成的权利要求10或11的膜。

14.一种固体摄像元件，其由电荷耦合器件或互补金属氧化物半导体形成，该传感器包括至少一个权利要求10或11的膜的层。

15.一种固体摄像元件，其包括权利要求10或11的膜作为滤色器上的平坦化层。

16.一种固体摄像元件的透镜材料、平坦化材料或包埋材料，其中所述材料包含权利要求1-8的任一项的含三嗪环的超支化聚合物。