[发明专利]半导电聚合物组合物

权利要求书

1.一种用于电缆半导电层的聚合物组合物，包括

—聚烯烃（a）

—碳黑，选自炉法碳黑和乙炔碳黑中的任意一种，和

—有机化合物（b），包括至少一个含有至少2个共轭双键的结构单元，熔点≤250℃或者分子量小于10000，不同于2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉（TMQ）或聚合TMQ；其中，所述聚合物组合物

-根据聚合物组合物的总重量，含有的有机化合物（b）的含量为0.03-0.9wt%。

2.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，根据聚合物组合物的总重量，有机化合物（b）的含量为0.06- 0.8wt%，优选为0.1-0.75wt%，更优选为0.2-0.75wt%，甚至更优选为0.3-0.75 wt%，最优选为0.35-0.75 wt%。

3.根据权利要求1或2所述的聚合物组合物，其中，有机化合物（b）的熔点≤200℃，更优选为≤150℃；甚至更优选地化合物（b）的熔点至少为50℃，更优选至少为60℃，甚至更优选至少为70℃。

4.根据上述权利要求中的任意一项所述的聚合物组合物，其中，有机化合物（b）的分子量Mw≤8000，更优选≤5000，更优选为60-3000，甚至更优选为100-1000。

5.根据上述权利要求中的任意一项所述的聚合物组合物，包括

—聚烯烃（a）

—碳黑，和

—有机化合物（b），其结构如结构式（I）所示：

Ar-XR（I），

其中

Ar为取代或未取代的芳烃基；

X为-NR¹-基团，其中，R¹为H或一种取代的或未取代的饱和或部分不饱和烃基；-S-；-O-；-Si-；-P-；或者S、Si 或P的任意氧化物；或者X为–H2C=CH2-烃基或作为环体系一部分的二价HC=CH；以及

R为H或者一种取代或未取代的饱和或部分不饱和烃基；或者一种取代或未取代的芳烃基，可以与Ar相同或不同；

并且，其中在结构式（I）所示化合物中

—所述Ar、取代或未取代的饱和或部分不饱和烃基、作为X的二价HC=CH形成的环体系、或者取代或未取代的芳烃基中的每一种可选地分别含有1-6个杂原子；和

—假如任意所述饱和或部分不饱和烃基、作为X的二价HC=CH形成的环体系、或者取代芳烃基是取代的，那么每一种分别含有1-4个取代基；并且

并且其中聚合物组合物

—包括结构式（I）所示化合物，根据聚合物组合物的总重量，结构式（I）所示化合物的含量不低于1.0wt%；

并且，其中聚合物组合物

（a）包括碳黑，根据聚合物组合物的总重量，碳黑的含量至少比具有相同体积电阻率的相同聚合物组合物中碳黑的含量低0.5wt%，除非该相同聚合物组合物除了用相同量的聚合2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉（TMQ）代替结构式（I）所示化合物外；或者

（b）相较于相同聚合物组合物，具有至少低10%的体积电阻率，除非用相同量的聚合2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉（TMQ）代替结构式（I）所示化合物。

6.根据上述权利要求中的任意一项所述的聚合物组合物，其中，X优选为-NR¹-或–S-，更优选为-NR¹-，其中R¹如上文或权利要求中所定义的，优选为线性或支化（C1-C8）烷基或H，更优选为H。