[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，具有：

－至少两个半导体本体（1），其中每个半导体本体（1）包括至少一个被安排为生成辐射的有源区域（11），

－载体（2），其具有上侧（2a）以及背离上侧（2a）的下侧（2b），以及

－电绝缘连接装置（3），其布置在载体的上侧（2a）处，其中

－电绝缘连接装置（3）布置在半导体本体（1）与载体（2）的上侧（2a）之间，

－电绝缘连接装置（3）居间促成半导体本体（1）与载体（2）之间的机械接触，以及

－半导体本体（1）的至少一部分彼此电串联。

2.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中在载体（2）的上侧（2a）与电绝缘连接装置（3）之间布置电绝缘层（6），所述电绝缘层（6）被构造为平坦的，其中电绝缘层（6）与载体（2）和电绝缘连接装置（3）直接接界。

3.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中电绝缘连接装置（3）在其背离载体（2）的表面处形成半导体本体（1a,1b）以及电连接装置（5）的朝向载体（2）的表面，并且电绝缘连接装置（3）的朝向电绝缘层（6）的表面被构造为平坦的，其中从半导体本体（1）的朝向载体（2）的上侧（2a）的那一侧穿过至少一个有源区域（1）延伸到半导体本体（1）的n型区域（10）的通孔接触部（13）被电绝缘连接装置（3）填充。

4.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

－恰好两个接触位置（4a,4b）以用于电接触所有半导体本体（1）。

5.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中半导体本体（1）分别不含生长衬底。

6.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中每个半导体本体（1）都具有辐射出射面（15），通过所述辐射出射面（15），在运行中在分配给所述半导体本体（1）的至少一个有源区域中生成的辐射定向在远离载体（2）的方向上地离开半导体本体（1），其中用于给有源区域（11）通电的电流分布仅仅在辐射出射面（15）之下进行。

7.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中至少一个半导体本体（1）包括至少一个通孔接触部（13），所述至少一个通孔接触部（13）从半导体本体（1）的朝向载体的上侧（2a）的那一侧穿过至少一个有源区域（11）延伸到半导体本体（1）的n型区域（10），其中通孔接触部（13）被安排为给n型区域（10）通电。

8.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中通孔接触部（13）包括导电材料（14），所述导电材料（14）借助于电绝缘连接装置（3）与半导体本体（1）的p型区域（12）电隔离并且与至少一个有源区域（11）电隔离。

9.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中在至少两个相邻的半导体本体（1）之间布置电连接装置（5），其中所述电连接装置（5）将一个半导体本体（1）的p型区域（12）与其它半导体本体（1）的n型区域（10）导电地连接。

10.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中电连接装置（5）用金属和/或导电氧化物形成。

11.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中在载体（2）的上侧（2a）与电绝缘连接装置（3）之间布置电绝缘层（6），所述电绝缘层（6）被构造为平坦的。

12.根据前一权利要求所述的发光二极管芯片，其中电绝缘层（6）与载体（2）和电绝缘连接装置（3）直接接界。

13.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中所述发光二极管芯片能够以至少6V的电压运行。

14.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中电连接装置（5）从辐射出射面（15）侧接触发光二极管芯片的至少一个半导体本体（1a,1b）的n型区域（10）。

15.根据前述权利要求之一所述的发光二极管芯片，其中电绝缘连接装置（3）在其背离载体（2）的表面处部分或完全地形成半导体本体（1a,1b）以及电连接装置（5）的朝向载体（2）的表面，并且电绝缘连接装置（3）的朝向载体（2）的表面被构造为平坦的。