[发明专利]制造三维结构存储元件的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造存储元件的方法和装置，更详细地，涉及一种制造三维结构存储元件的方法和装置。

背景技术

对于电子产品而言，在要求体积变得越来越小的同时，还要求高容量数据的处理。因此，需要减小这种电子产品的存储元件体积的同时提高其集成度，在这一点上，考虑具有三维结构的存储元件来代替现有平面型结构。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够降低存储元件体积的存储元件的制造方法及装置。

本发明的其他目的在于，提供一种能够有效制造三维结构存储元件的方法及装置。

本发明的另外其他目的在于，提供一种能够防止在蒸镀多个薄膜的工序中由薄膜的应力差引起的基底变形的存储元件的制造方法及装置。

通过详细的说明和添加的附图，能够进一步明确本发明的一些其他目的。

解决课题的方法

根据本发明的一实施例，三维结构存储元件的制造方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤，其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤，所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给二氯硅烷（SiCl₂H₂）而蒸镀第二氧化硅膜的步骤。

所述绝缘层和所述牺牲层对所述蚀刻剂具有刻蚀选择比（etch selectivity），所述牺牲层的蚀刻率为所述绝缘层的蚀刻率的五倍至三百倍以上。

所述蚀刻剂可以包含HF或者BOE中的任意一个。

所述层叠绝缘层的步骤进一步包括供给基于乙基的气体的步骤，所述第一氧化硅膜为SiCO（Silicon Carbon Oxide）。

所述层叠绝缘层的步骤进一步包括供给基于甲基的气体的步骤，所述第一氧化硅膜为SiCO（Silicon Carbon Oxide）。

所述基底的温度保持在300至790度，所述基底的加工压力保持在10mTorr至250Torr。

所述第一氧化硅膜和所述第二氧化硅膜可以具有互相不同的厚度。

所述交替层叠绝缘层和牺牲层的步骤进一步包括通过环形边对所述基底的边缘部施压的步骤。

所述基底的边缘部相当于从所述基底的边缘向所述基底的内侧0.5mm-3mm的范围。

所述环形边可以为陶瓷材料。

根据本发明的其他实施例，三维结构存储元件的制造方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤。所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、二氯硅烷（SiCl₂H₂）群中的一种以上气体和选自B₂H₆、PH₃群中的一种以上气体而蒸镀注入有硼（boron）或者磷（phosphorus）的第二氧化硅膜的步骤。