[发明专利]高强度高伸长率的金合金接合线无效
| 申请号： | 201180048995.3 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN103155129A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 三上道孝 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C5/02;C22F1/00;C22F1/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强度 伸长 合金 接合 | ||
1.一种用于半导体装置的接合线，其中：所述接合线由0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素以及余量的Au组成，
将所述接合线在伴随热处理温度升高的伸长率增加变得平缓的450-650℃的范围内热处理。
2.一种用于半导体装置的接合线，其中：所述接合线由总计为0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素以及余量的Au组成，将所述接合线在伴随热处理温度升高的伸长率增加变得平缓的450-650℃的范围内进行热处理。
3.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中：所述接合线由0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素和余量的Au组成，并且在伴随热处理温度升高的伸长率增加变得平缓的450-650℃的范围内的热处理之后将所述接合线淬火。
4.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中：上述Au合金由0.5-5质量％的Cu和余量的Au组成。
5.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中：上述Au合金由0.5-20质量％的Ag和余量的Au组成。
6.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中：上述Au合金由0.5-2质量％的Pb和余量的Au组成。
7.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中：上述的热处理在从伸长率变得平缓的开始温度至ST+200℃的范围内进行，其中，ST表示伸长率变得平缓的开始温度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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