[发明专利]用于提供具有显著六极和八极分量的大体四极场的方法和系统有效
申请号: | 201180048905.0 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN103282998A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 米尔恰·古纳 | 申请(专利权)人: | DH科技发展私人贸易有限公司 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 容春霞 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 具有 显著 分量 大体 四极场 方法 系统 | ||
1.一种在线性离子阱中处理离子的方法,所述方法包括:
建立和维持二维不对称大体四极场,其具有第一轴、沿着所述第一轴的第一轴电位、与所述第一轴正交的第二轴以及沿着所述第二轴的第二轴电位,其中i)所述第一轴电位包括具有振幅A21的四极谐波、具有振幅A31的六极谐波和具有振幅A41的八极谐波,A41大于A21的0.01%,A41小于A21的5%和A31的33%,且对于所述第一轴电位中存在的具有振幅An1的任一其它较高阶谐波,如果n1为大于4的任一整数,则A31大于十倍的An1;且ii)所述第二轴电位包括具有振幅A22的四极谐波和具有振幅A42的八极谐波,其中A42大于A22的0.01%,A42小于A22的5%,且对于所述场的所述第二轴电位中存在的具有振幅An2的任一其它较高阶谐波,如果n2为除4之外的大于2的任一整数,则A42大于十倍的An2;
将离子引入到所述场。
2.根据权利要求1所述的方法,其中A41大于A21的0.001%,且其中A42大于A22的0.001%。
3.根据权利要求1所述的方法,其中A31大于倍的An1。
4.根据权利要求1所述的方法,其中A31大于倍的An1。
5.根据权利要求4所述的方法,其中
所述线性离子阱包括第一对杆、第二对杆和四个辅助电极,所述四个辅助电极插入所述第一对杆与所述第二对杆之间且包括由对分所述第一对杆和所述第二对杆中的一对的第一平面分离的第一对辅助电极和第二对辅助电极,
所述第一轴位于所述第一平面中且所述第二轴与所述第一平面正交,
建立和维持所述场包括:i)在第一频率下且在第一相位中将第一RF电压提供到所述第一对杆,ii)在等于所述第一频率的第二频率下且在与所述第一相位相反的第二相位中将第二RF电压提供到所述第二对杆,以及iii)在等于所述第一频率的辅助频率下且从所述第一相位移位一相移而将辅助RF电压提供到所述第一对辅助电极,iv)将第一DC电压提供到所述第一对辅助电极,以及v)将第二DC电压提供到所述第二对辅助电极,且
所述方法进一步包括
从所述场轴向喷射所述离子的选定部分,所述离子的所述选定部分具有选定m/z;
检测所述离子的所述选定部分以提供围绕滑动m/z比为中心的滑动质量信号峰;以及
调整以下各项中的至少一者:i)所述辅助RF电压的所述相移;ii)提供到所述第一对辅助电极的所述第一DC电压;iii)提供到所述第二对辅助电极的所述第二DC电压;以及iv)提供到所述第一对辅助电极的所述辅助RF电压,以使所述滑动m/z比朝向所述选定m/z滑动。
6.根据权利要求5所述的方法,其中建立和维持所述场包括将所述第二DC电压提供到所述第二对辅助电极而不将RF电压提供到所述第二对辅助电极。
7.根据权利要求5所述的方法,其中建立和维持所述场包括将第二辅助RF电压与所述第二DC电压一起提供到所述第二对辅助电极,其中所述第二辅助RF电压相对于提供到所述第一对辅助电极的所述辅助RF电压为180度相移。
8.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括调整所述辅助RF电压的所述相移以使所述滑动m/z比朝向所述选定m/z滑动。
9.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括调整i)提供到所述第一对辅助电极的所述第一DC电压和ii)提供到所述第二对辅助电极的所述第二DC电压中的至少一者以使所述滑动m/z比朝向所述选定m/z滑动。
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