[发明专利]半导体元件接合用贵金属糊料

权利要求书

1.半导体元件接合用贵金属糊料，它是由贵金属粉末和有机溶剂构成的贵金属糊料，其特征在于，贵金属粉末的纯度在99.9质量％以上，平均粒径为0.1～0.5μm，有机溶剂的沸点为200～350℃，贵金属糊料的由通过旋转粘度计得到的23℃的剪切速率4/s的粘度相对于剪切速率40/s的粘度的测定值算出的触变性指数(TI)值在6.0以上。

2.如权利要求1所述的贵金属糊料，其特征在于，贵金属粉末包括金粉末或银粉末中的任意一种以上。

3.如权利要求1或2所述的贵金属糊料，其特征在于，贵金属糊料中的贵金属粉末的体积含有率为26～66体积％(v/v)。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的贵金属糊料，其特征在于，用于半导体元件的小片接合。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的贵金属糊料，其特征在于，在接合半导体元件的情况下的接合部，X射线透视图像中由相对于接合部整体的面积的接合部中密合的部分的面积比例算出的接合率在90％以上。