[发明专利]光检测元件和该光检测元件的制造方法

权利要求书

1.一种光检测元件，其特征在于，在基板一侧的主面侧形成有由ZnO形成主成分的感应层和隔着规定间隔相对状地配置的一对电极，在所述感应层检测入射光，

由与所述感应层同样的材料形成主成分的非感应层被设置成与所述感应层相接。

2.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述感应层形成在所述基板的所述一侧的主面的表面，而且所述一对电极形成在所述感应层的表面，

并且，所述非感应层被设置成至少在所述电极间与所述感应层接合。

3.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述一对电极形成在所述基板的所述一侧的主面的表面，而且，所述感应层以覆盖所述电极的端部的方式形成在所述基板的所述一侧的主面的表面，

并且，所述非感应层形成在所述感应层的表面。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光检测元件，其特征在于，所述基板由透过所述入射光的透光性材料形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光检测元件，其特征在于，所述入射光被照射到所述基板的所述一侧的主面侧和另一侧的主面侧中的至少任一主面。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测元件，其特征在于，在所述非感应层的表面形成有绝缘保护膜。

7.根据权利要求6所述的光检测元件，其特征在于，所述绝缘保护膜由硅化合物形成。

8.根据权利要求6或7所述的光检测元件，其特征在于，在所述绝缘保护膜的表面形成有具有高反射率的金属薄膜。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的光检测元件，其特征在于，所述非感应层的膜厚为3nm以上且小于140nm。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的光检测元件，其特征在于，所述感应层的膜厚为10nm～100nm。

11.一种光检测元件的制造方法，其特征在于，在基板的一侧的主面侧形成由ZnO形成主成分的感应层和具有规定间隔相对状地配置的一对电极，

准备主成分与所述感应层相同的ZnO系材料和绝缘性材料，

使用所述ZnO系材料，在真空下对形成有所述电极的感应层进行第1成膜处理，进而使用所述绝缘性材料，在所述第1成膜处理后紧接着连续地进行第2成膜处理，在所述感应层的表面依次形成由ZnO材料构成的非感应层以及绝缘保护膜。

12.根据权利要求11所述的光检测元件的制造方法，其特征在于，在所述基板的所述一侧的主面的表面形成所述感应层后，将所述一对电极形成在所述感应层的表面，其后，将所述非感应层形成为至少在所述电极间与所述感应层接合。

13.根据权利要求11所述的光检测元件的制造方法，其特征在于，在所述基板的所述一侧的主面的表面形成所述一对电极后，将所述感应层以覆盖所述电极的端部的方式形成在所述基板的一侧的主面的表面，其后将所述非感应层形成在所述感应层的表面。