[发明专利]传感器元件及其制备方法和包括所述传感器元件的传感器装置

权利要求书

1.一种传感器元件，包括：

第一导电电极，所述第一导电电极具有与之电连接的第一导电构件；

吸收性电介质层，所述吸收性电介质层包括固有微孔性聚合物；和

第二导电电极，所述第二导电电极具有与之电连接的第二导电构件，其中所述第二导电电极包括至少一种贵金属，其中所述第二导电电极的厚度为4至10纳米并且对至少一种有机蒸汽而言为可渗透的，其中所述吸收性电介质层至少部分地设置在所述第一导电电极和所述第二导电电极之间。

2.根据权利要求1所述的传感器元件，还包括支承所述第一导电电极的电介质基底。

3.根据权利要求2所述的传感器元件，其中所述电介质基底包括聚合物膜。

4.根据权利要求1所述的传感器元件，其中所述至少一种贵金属包括所述第二导电电极的至少99重量％。

5.根据权利要求1所述的传感器元件，其中所述第二导电电极包括金、钯、铂或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的传感器元件，其中所述固有微孔性聚合物包括由通过刚性连接基连接的大致平面的物种构成的有机高分子，所述刚性连接基具有扭曲点，使得通过所述刚性连接基之一连接的两个相邻的平面的物种保持非共面取向。

7.根据权利要求1所述的传感器元件，其中所述第一导电电极包括至少一种贵金属，其中所述第一导电电极的厚度为4至10纳米并且对至少一种有机蒸汽而言为可渗透的。

8.根据权利要求1所述的传感器元件，其中所述第二导电电极与所述吸收性电介质层的主表面共延。

9.一种方法，包括以下步骤：

将包括固有微孔性聚合物的吸收性电介质层设置在第一导电电极上；和

通过热汽相沉积将包括至少一种贵金属的第二导电电极设置在所述吸收性电介质层上，其中在所述热汽相沉积完成之后，所述第二导电电极的厚度为4至10纳米，其中所述第二导电电极对至少一种有机蒸汽而言为可渗透的，其中所述吸收性电介质层至少部分地设置在所述第一导电电极和所述第二导电电极之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一导电电极被支承在电介质基底上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电介质基底包括聚合物膜。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述步骤是有序的。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一种贵金属包括所述第二导电电极的至少99重量％。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二导电电极包括金、钯、铂或它们的组合。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述固有微孔性聚合物包括由通过刚性连接基连接的大致平面的物种构成的有机高分子，所述刚性连接基具有扭曲点，使得通过所述刚性连接基连接的两个相邻的平面的物种保持非共面取向。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一导电电极包括至少一种贵金属，并且其中所述第一导电电极的厚度为4至10纳米并且对至少一种有机蒸汽而言为可渗透的。

17.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二导电电极与所述吸收性电介质层的主表面共延。

18.根据权利要求9所述的方法，还包括以在100至250摄氏度的范围内的温度加热至少所述第二电极。