[发明专利]应力诱导电阻变化的补偿

权利要求书

1.一种用于对半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿的方法，所述方法包括以下步骤：

提供半导体器件，所述半导体器件包括所述半导体电阻器元件和参考设备，其中，所述参考设备包括金属参考电阻器和半导体参考电阻器；

通过对所述金属参考电阻器的电阻和所述半导体参考电阻器的电阻的应力诱导改变，或者与所述应力诱导改变在功能上相关的至少一个量进行测量，来产生补偿参数；以及

使用所述补偿参数来对所述半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述补偿参数是通过对所述金属参考电阻器的电阻与所述半导体参考电阻器的电阻的第一比值进行测量来产生的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述补偿参数是通过对所述第一比值与所述金属参考电阻器的电阻与所述半导体参考电阻器的电阻的第二参考比值进行比较来产生的，所述第二参考比值是在参考条件下进行确定的。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述补偿参数是通过对所述第一比值与所述第二比值的比值，或者与所述第一比值与所述第二比值的比值在功能上相关的量进行获取来产生的。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述产生补偿参数的步骤包括温度补偿步骤，所述温度补偿步骤用于对所述金属参考电阻器的所测得的电阻和所述半导体参考电阻器的所测得的电阻的温度诱导变化进行补偿。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述温度补偿步骤是参照以温度为函数的金属电阻器电阻和半导体电阻器电阻的数据库或数学模型来执行的。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述产生补偿参数的步骤包括：对所述金属参考电阻器的应变系数与所述半导体参考电阻器的应变系数的比值进行修正。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，修正系数是由以下关系式导出的：

RRΔSRR=1+GS·ΔSS1+GM·ΔSM]]>

其中，RR_ΔS是所述第一比值，RR是所述第二比值，Gs是所述半导体参考电阻器中的半导体材料的应变系数，G_M是所述金属参考电阻器中的金属材料的应变系数，ΔS_S是由所述半导体参考电阻器所经受到的应变改变，并且ΔS_M是由所述金属参考电阻器所经受到的应变改变，并且其中，可选地，项G_M/G_S和ΔS_M/ΔS_S中的一项或多项被忽略。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述半导体电阻器元件形成RC振荡器的一部分，并且，使用所述补偿参数的步骤包括：使用所述补偿参数作为所述半导体电阻元件的电阻的应力诱导变化的指示，并且考虑所述应力诱导变化的所述指示，调节RC振荡器来实现所希望的输出频率。