[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和图像显示装置

权利要求书

1.薄膜晶体管，其特征在于，具有基板、

层积在所述基板上的栅极、

层积在所述基板上及所述栅极上的栅绝缘层、

设置在所述栅绝缘层上的凹部、

形成在所述栅绝缘层的凹部内的半导体层和

在彼此分开的位置上与所述半导体层连接的源极及漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，设置有层积在所述半导体层的至少中央部上的保护膜。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹部仅形成在可与栅极在厚度方向上相对的位置上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层由以金属氧化物为主要成分的材料构成。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层由以有机物为主要成分的材料构成。

6.图像显示装置，其特征在于，具有权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管、

形成在所述薄膜晶体管的所述源极及所述漏极上的层间绝缘膜、

形成在所述层间绝缘膜上且与所述漏极电连接的像素电极和

包含形成在所述像素电极上的公共电极的显示媒体。

7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其特征在于，所述显示媒体为电泳型反射显示装置、透过型液晶显示装置、反射型液晶显示装置、半透过型液晶显示装置、有机EL显示装置及无机EL显示装置中的任一种。

8.薄膜晶体管的制造方法，其是权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成栅极的工序、

在所述基板上及所述栅极上形成栅绝缘层的工序、

在与所述栅极对置的所述栅绝缘层位置上形成凹部的工序、

在所述凹部内用涂布法形成半导体层的工序、

在所述半导体层的至少中央部上形成保护膜的工序和

形成源极及漏极、使它们在所述半导体层的彼此分开的位置上进行连接的工序。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述涂布法为凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反转胶版印刷、丝网印刷、喷墨、热转印、滴涂、旋涂、模涂、微凹版涂布、浸涂中的任一种。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述凹部通过干蚀法形成。