[发明专利]电化学供电的集成电路封装有效
申请号: | 201180045439.0 | 申请日: | 2011-08-04 |
公开(公告)号: | CN103119713A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | T·J·布伦施维勒;B·米歇尔;P·鲁赫 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电化学 供电 集成电路 封装 | ||
1.一种集成电路封装(10a-10n),包括:
-层结构,具有:
-在所述层结构的层(11,16)上布置的电极(17);以及
-与所述电极电连接的集成电路(16),以及
-一个或者多个流体回路段(19,19’,191’,192’),每个流体回路段被构造成接收其中具有可溶电活性物质的至少一种相应电解质溶液(29,29’,29”),并且允许所述溶液接触所述电极(17)中的至少一些电极,以便在操作中向所述集成电路供应电能。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段中的至少一个流体回路段根据相应电解质溶液被设计,以便在操作中基本上冷却所述集成电路。
3.根据权利要求1或者2所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段中的至少一个流体回路段被构造成允许相应溶液沿着所述层结构的层流动。
4.根据权利要求3所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段中的至少一个流体回路段(19’)被构造成允许相应溶液在所述层结构的两个层(16)之间流动,所述两个层优选地是被布置为集成电路层的3D堆叠物(10g)的集成电路中的两个层。
5.根据权利要求4所述的集成电路封装(10j,101,10n),其中所述电极(17a,17c,17a2,17c1)中的至少一些电极被设计为用于约束所述层结构的层(13,16)的间隔物。
6.根据权利要求3、4或者5所述的集成电路封装,其中所述电极中的至少一些电极被布置于所述层结构的一个层的一侧上,所述一个或者多个流体回路段中的所述至少一个流体回路段允许溶液沿着所述一侧流动。
7.根据权利要求4或者5所述的集成电路封装,其中所述电极中的至少一些电极被布置于所述两个层中的每层上,所述一个或者多个流体回路段中的相应流体回路段(19’)中的电解质溶液被允许在所述两个层之间流动。
8.根据权利要求7所述的集成电路封装(10h,10j,10m,10n),其中在所述两个层之一的一侧上布置的电极包括阴极和阳极二者。
9.根据权利要求1至3中的任一项权利要求所述的集成电路封装(10a-10c,10e,10f),其中所述层结构包括:印刷布线板(11);衬底互连(13);以及包括所述集成电路中的至少一些集成电路的集成电路芯片(16),并且其中所述电极中的至少一些电极和所述一个或者多个流体回路段中的至少一个流体回路段(19)被布置在以下各项之一的一侧上:所述印刷布线板(11);所述衬底互连(13);或者所述集成电路芯片(16)。
10.根据权利要求1至9中的任一项权利要求所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段(19,19’)被构造成接收单种电解质溶液(31),并且其中所述电极包括选择性阴极和阳极,所述一个或者多个流体回路段被构造成允许所述单种电解质溶液接触所述选择性阴极和阳极,从而与所述选择性阴极和阳极一起形成单流氧化还原系统。
11.根据权利要求1至9中的任一项权利要求所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段(19,19’,191’,192’)被构造成:
-接收两种电解质溶液(31,32)并且优选地包括被布置用于在所述一个或者多个流体回路段中分隔所述两种电解质溶液的膜,以及
-允许所述两种电解质溶液接触所述电极的相应子集,并且其中所述子集之一包括阴极,而所述子集中的另一子集包括阳极,由此形成双流氧化还原系统。
12.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的集成电路封装,其中所述一个或者多个流体回路段各自由相应电解质溶液填充,其中:
-所述相应电解质溶液包括:氧化还原电对,所述氧化还原电对在它的氧化形式和还原形式二者中均可溶;支持电解质,所述支持电解质优选地在用于向所述集成电路供应电能的电势范围中不表现氧化还原过程;以及添加物,用于调节所述氧化还原电对的氧化还原电势和/或可逆性。
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