[发明专利]用于装置保护的寄生电路有效
申请号: | 201180045235.7 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN103119854A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 刘振宁;查尔斯·E·惠特利三世;赛尔西奥·P·埃斯特拉达 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H04B5/00 | 分类号: | H04B5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 装置 保护 寄生 电路 | ||
1.一种装置,其包括:
第一电路,其经配置以在操作频率下接收第一发射信号;以及
第二电路,其经配置以产生与以下各项中的至少一者相反的场:
所述第一发射信号的无线电力场的不合意部分;以及
接近于所述第一电路的另一无线电力场的一部分,所述另一无线电力场是在所述第一电路的非操作频率下由第二发射信号产生的。
2.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路经配置以响应于所述操作频率而展现第一阻抗,且响应于所述非操作频率而展现第二较低阻抗。
3.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路包括经解谐的寄生线圈。
4.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路包括耦合到线圈的并串联电路。
5.根据权利要求1所述的装置,所述第一电路集成于NFC卡和RFID卡中的一者内。
6.根据权利要求5所述的装置,所述第二电路耦合到所述NFC卡和所述RFID卡中的一者的表面。
7.根据权利要求1所述的装置,所述第一电路和所述第二电路中的每一者集成于NFC卡和RFID卡中的一者内。
8.根据权利要求1所述的装置,所述操作频率包括大体上13.56MHz的频率。
9.根据权利要求1所述的装置,所述非操作频率包括大体上468.75KHz和大体上6.78MHz中的一者的频率。
10.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路大体上环绕所述第一电路。
11.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路接近于所述装置的待受保护不受无线电力信号影响的区。
12.根据权利要求1所述的装置,所述第一电路用于接收无线电力信号和近场通信信号中的一者,且所述第二电路用于产生与由无线电力发射器产生的磁场相反的磁场。
13.根据权利要求1所述的装置,所述第二电路经配置为在所述非操作频率下具有第一阻抗水平且在所述操作频率下具有第二较高阻抗水平的陷波滤波器。
14.一种方法,其包括:
在第一电路处在操作频率下接收第一发射信号;以及
用第二电路产生与所述第一发射信号的无线电力场的不合意部分和接近于所述第一电路的另一无线电力场的一部分中的至少一者相反的场,所述另一无线电力场是在所述第一电路的非操作频率下由第二发射信号产生的。
15.根据权利要求14所述的方法,所述接收包括在大体上13.56MHz的频率下接收所述第一发射信号。
16.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括响应于在大体上6.78MHz的频率下接收到所述第二发射信号而产生所述场。
17.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括用经配置以展现短路阻抗的电路产生所述场。
18.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括用大体上环绕用于接收所述第一发射信号的另一电路的电路产生所述场。
19.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括用包含耦合到线圈的并串联电路的电路产生所述场。
20.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括用耦合到NFC卡和RFID卡中的一者的表面的电路产生所述场。
21.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括用集成于NFC卡和RFID卡中的一者内的电路产生所述场。
22.根据权利要求14所述的方法,所述产生包括在电路中产生与在远程无线电力发射器中产生的电流相反的电流。
23.一种装置,其包括:
用于在第一电路处在操作频率下接收第一发射信号的装置;以及
用于用第二电路产生与所述第一发射信号的无线电力场的不合意部分和接近于所述第一电路的另一无线电力场的一部分中的至少一者相反的场的装置,所述另一无线电力场是在所述第一电路的非操作频率下由第二发射信号产生的。
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