[发明专利]用于热接口连接的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201180044649.8 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN103189978A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: G·比尔;E·麦克利恩 申请(专利权)人: 恩布莱申有限公司
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427;H01L25/065;H01L23/492
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 肖冰滨;陈潇潇
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 用于 接口 连接 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种用作放大器的设备,该设备包括:

射频或微波晶体管,用于提供信号放大;

至少一块电路板,用于提供输入信号到所述晶体管和/或从所述晶体管接收信号;以及

热接口装置,被配置成便于所述晶体管与热管散热器或循环流体散热器之间的机械和热连接。

2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述散热器包括微处理器散热器。

3.根据权利要求1或2所述的设备,其特征在于,所述晶体管包括功率晶体管,该功率晶体管具有在1W至10,000W范围内、可选地在1W至1000W范围内、进一步可选地在20W至200W范围内的输出功率。

4.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述晶体管具有在1W/cm2至100W/cm2范围内、可选地在80W/cm2至100W/cm2范围内的每单位表面面积的输出功率。

5.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成直接耦合到所述晶体管。

6.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,在使用中,所述接口装置直接耦合到所述晶体管,以提供所述晶体管与所述散热器之间的两个热结点。

7.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成间接地耦合到所述晶体管。

8.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,该设备还包括所述晶体管与所述接口装置之间的隔片。

9.根据权利要求7或8所述的设备,其特征在于,在使用中,所述接口装置间接地耦合到所述晶体管,以提供所述晶体管与所述散热器之间的三个热结点。

10.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置包括被配置成与散热器的一部分接合的至少一个几何特征,该至少一个几何特征例如为凸出部分和凹入部分中的一者,其被配置成与所述散热器上提供的凸出部分和凹入部分中的另一个紧密配合。

11.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,该设备还包括壳体。

12.根据权利要求11所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成提供与所述壳体的最少热接触。

13.根据权利要求11或12所述的设备,其特征在于,在所述壳体与所述接口装置之间提供有空气间隙。

14.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成容纳多个散热器元件。

15.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成容纳多个微处理器散热器。

16.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置被配置成容纳至少一个热管散热器和至少一个标准翅片式对流散热器。

17.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分包括为所述晶体管提供电接地的材料。

18.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分包括导电材料。

19.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分包括导热性材料。

20.根据权利要求19所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分包括拥有单向导热属性的材料。

21.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分包括选自由以下材料构成的组的材料:基于热解碳的材料、聚乙烯聚合物纳米纤维材料、和/或碳纳米管复合材料。

22.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,所述接口装置的至少一部分被电镀。

23.根据以上任一项权利要求所述的设备,其特征在于,基于热解碳的材料被提供于所述晶体管之上和/或之下。

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