[发明专利]重置光导X射线成像检测器的系统和方法

权利要求书

1.从x射线光阀成像装置擦除残留图像的方法，所述x射线光阀成像装置包括光电调制器层和光导层，所述方法包括以下步骤：

提供用于生成光致电离辐射的光致电离辐射源，所述光致电离辐射具有适于使所述x射线光阀成像装置的光电调制器层内的物种光致电离的波长；以及

将所述光致电离辐射引导至所述光电调制器层内并使所述光电调制器层内的物种光致电离；

其中所述光致电离辐射的积分通量被选择为生成足够浓度的移动电荷实体以减小位于所述光导层的接触面处或接触面附近的被捕获电荷的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电调制器层包括液晶，所述光致电离辐射的波长被选择为使所述液晶内的物种光致电离。

3.根据权利要求2所述的方法，其中被所述光致电离辐射光致电离的物种包括液晶分子。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述移动电荷实体包括移动离子，使得所述被捕获电荷的影响通过所述移动离子朝着所述被捕获电荷的漂移而被减小。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中被所述光致电离辐射光致电离的物种包括所述液晶中的杂质。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中所述液晶包括向列液晶和聚合物分散液晶中的一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述向列液晶选自EMD E7和ZL1-4792。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在将所述光致电离辐射引导至所述光电调制器层内的步骤之前，从所述x射线光阀成像装置移除被施加的偏置电压。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述光致电离辐射的积分通量被选择为基本中和所述被捕获电荷的影响。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述光致电离辐射的一个或多个波长位于约200nm与400nm之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中在将所述光致电离辐射引导至所述光电调制器层内的步骤之前，执行以下步骤：

测量所述残留图像；以及

基于所述残留图像确定用于所述光致电离辐射的指定空间积分通量分布，使得当所述光致电离辐射以所述指定空间积分通量分布被引导至所述光电调制器层内时，空间依赖浓度的移动电荷实体被生成以局部地减小所述被捕获电荷的影响；

其中所述光致电离辐射以所述指定空间积分通量分布被引导至所述光电调制器层内。

12.使用x射线光阀成像装置获取x射线图像的方法，其中所述x射线光阀成像装置包括液晶层、光导层、以及用于在所述液晶层和所述光导层的两端施加电压偏置的电极，其中与所述液晶层相邻的电极是光学透射的；

所述方法包括以下步骤：

a）提供用于生成光致电离辐射的光致电离辐射源，所述光致电离辐射具有适于使所述x射线光阀成像装置的液晶层内的物种光致电离的波长；

b）在电极之间施加初始偏置电压；

c）将所述x射线光阀成像装置暴露给x射线辐射，其中所述x射线辐射在所述光导层中被吸收并且产生电荷，电压偏置导致所述电荷的一部分漂移至所述光导层的接触面处或接触面附近并在所述光导层的接触面处或接触面附近被捕获，由于所述接触面处捕获的电荷的存在，所述液晶层内形成局部电场；

d）施加足以克服所述液晶层的阈值的读出偏置电压；

e）光学地询问所述液晶层以获取图像，所述图像的空间强度与所述接触面处捕获的电荷的空间依赖性关联；以及

f）将所述光致电离辐射引导至所述液晶层内并使所述液晶层内的物种光致电离，其中所述光致电离辐射的积分通量被选择为生成足够浓度的移动电荷实体以减小位于所述光导层的接触面处或接触面附近的被捕获电荷的影响。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：当执行连续成像测量时，重复步骤c）至f）一次或多次。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中当执行步骤d）时，在不移除偏置电压情况下将所述初始偏置电压直接切换为所述读出偏置电压。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中所述读出偏置电压超过所述初始偏置电压的量足以克服所述液晶层的阈值电压。