[发明专利]双重递送腔室设计

权利要求书

1.一种装置，包括：

提供耦合至喷头上表面的热腔室、耦合至所述喷头下表面的处理腔室以及在所述处理腔室中的用于支撑基板的基座；

加热所述热腔室中的第一处理气体以产生中性基；

传送所述中性基从所述热腔室经过延伸穿过所述喷头的第一列孔至所述处理腔室；

传送第二处理气体经过与所述第一列孔隔离的所述喷头中的第二列孔；

将所述中性基与所述第二处理气体进行混合；以及

在所述处理腔室中的所述基板上沉积材料层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述喷头与所述基座之间施加RF功率；以及

在所述处理腔室中的所述基板上方产生等离子体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：在处理期间将所述基座冷却为低于100℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

从所述热腔室中的加热器产生热量；

从所述热腔室热传导所述热量经过间隔环至所述喷头；以及

在所述第二处理气体流动穿过所述喷头中的所述第二列孔的同时，加热所述第二处理气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

通过热传导隔离环将至所述热腔室的热量隔离至所述喷头。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：

耦合至所述间隔环或嵌入在所述间隔环内的加热器。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：

耦合至所述热腔室的加热器。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述热腔室包含：在所述热腔室中分配所述第一处理气体的阻隔板。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷头包含：所述上表面与所述下表面之间的内部体积、至所述内部体积的入口孔及第二列孔，所述第二列孔在所述下表面中供所述第二处理气体流动至所述处理腔室。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷头包含：多个凸起柱，所述多个凸起柱中的每一个各自具有通孔，所述通孔与所述第一列孔对准，所述第一列孔从所述上表面延伸至所述下表面。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述多个凸起柱由陶瓷材料制成。

12.一种方法，包括：

提供耦合至喷头上表面的等离子体产生腔室、耦合至所述喷头下表面的处理腔室以及在所述处理腔室中的用于支撑基板的基座；

在所述等离子体产生腔室和所述喷头的所述上表面之间施加电功率；

对所述等离子体产生腔室中的第一处理气体通电以产生等离子体；

邻近所述等离子体产生腔室的喷头，所述喷头具有上表面及下表面，所述喷头具有从所述上表面延伸至所述下表面的第一列孔，所述喷头的所述上表面为所述等离子体产生腔室的下电极；

处理腔室，所述喷头的所述下表面为所述处理腔室的上表面；以及

所述处理腔室内的基座，所述基座用于支撑邻近于所述喷头的所述下表面的基板。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：

耦合至所述喷头的下表面的RF功率源；

其中所述基座接地。

14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述基座包含：用于在处理期间将放置在所述基座上的基板保持为低于100℃的冷却机构。

15.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述喷头包含：所述上表面与所述下表面之间的内部体积、至所述内部体积的入口孔及第二列孔，所述第二列孔在所述下表面中供所述第二处理气体流动至所述处理腔室。

16.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述等离子体产生腔室的上电极为用于分配所述第一处理气体的阻隔板。

17.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：

所述上电极与所述下电极之间的间隔环，所述间隔环是介电且导热的。