[发明专利]发光二极管和发光二极管灯

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，

具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层和n-1层的势垒层构成的发光层，

势垒层存在时，所述发光层具有1层的应变发光层和1层的势垒层交替地层叠而成的结构，

所述n为1～7的整数，并且所述发光层的厚度为250nm以下。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应变发光层的组成式为（Al_XGa_1-X）_YIn_1-YP，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应变发光层的组成式为Ga_XIn_1-XP，其中，0.37≤X≤0.46。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，具有化合物半导体层，所述化合物半导体层至少包含所述发光部和层叠于所述发光部的应变调整层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述化合物半导体层具有光取出面；所述发光二极管设置有与位于所述光取出面的相反侧的所述化合物半导体层的面接合的功能性基板。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板为光透过性基板。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的材质为GaP。

8.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还具备：设置于所述化合物半导体层的所述光取出面侧的第1和第2电极、和设置于所述功能性基板的背面的连接用的第3电极。

9.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述化合物半导体层和所述功能性基板隔着反射结构体而接合着。

10.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的材质为金属。

11.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的材质为GaP、Si、Ge中的任一种。

12.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，具备：设置于所述化合物半导体层的所述光取出面侧的第1电极、和设置于所述化合物半导体层与反射结构体之间的第2电极。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应变发光层的厚度在8～30nm的范围内。

14.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层能够透过所述发光部发光时的光，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述势垒层的组成式为（Al_XGa_1-X）_YIn_1-YP，其中，0.3≤X≤0.7、0.48≤Y≤0.52。

16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光部在所述应变发光层的上下面之中的至少一个面具有覆盖层，所述覆盖层的组成式为（Al_XGa_1-X）_YIn_1-YP，其中，0.5≤X≤1、0.48≤Y≤0.52。

17.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的组成式为（Al_XGa_1-X）_YIn_1-YP，其中，0≤X≤1、0.6≤Y≤1。

18.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的组成式为Al_XGa_1-XAs1-YP_Y，其中，0≤X≤1、0.6≤Y≤1。

19.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的材质为GaP。

20.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述应变调整层的厚度在0.5～20μm的范围内。