[发明专利]硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法有效
| 申请号： | 201180043160.9 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103097292A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤井一;宫野真理;远藤茂树;椎野修;大野信吾;吉川雅人 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微粒 制造 方法 以及 粒径 控制 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅微粒的制造方法，其具备准备硅颗粒的准备工序和在蚀刻溶液中浸渍所述硅颗粒的蚀刻工序，制造粒径比所述硅颗粒更小的硅微粒，
在所述蚀刻工序中，用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光来照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒。
2.根据权利要求1所述的硅微粒的制造方法，其中，所述蚀刻溶液包含氟化氢。
3.根据权利要求1或2所述的硅微粒的制造方法，其中，所述光为单色光。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅微粒的制造方法，其中，所述准备工序具有：
在非活性气氛中，焙烧包含硅源和碳源的混合物的焙烧工序；和
将通过焙烧所述混合物而生成的气体骤冷，得到氧化硅包覆的复合粉体的骤冷工序；和
在溶解所述氧化硅的溶液中浸渍所述复合粉体，得到硅颗粒的溶解工序。
5.一种控制硅微粒粒径的粒径控制方法，其具备：
在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒的工序；和
用具有比所述硅微粒的带隙能量更大的能量的光来照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅微粒的工序。
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