[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

绝缘基板；

第一薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第一栅极电极和设置在所述第一栅极电极上的具有第一沟道区域的第一半导体层；

第二薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第二栅极电极和设置在所述第二栅极电极上的具有第二沟道区域的第二半导体层；

覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的绝缘膜；和

第三栅极电极，其设置在所述绝缘膜上，且隔着该绝缘膜与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的至少一个相对配置。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述第三栅极电极包括选自铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、含有氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化锡（SnO₂）和氧化锌（ZnO）中的至少一种金属氧化物。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述第一半导体层和所述第二半导体层为氧化物半导体层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述氧化物半导体层包括选自铟（In）、镓（Ga）、铝（Al）、铜（Cu）和锌（Zn）中的至少一种的金属氧化物。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述氧化物半导体层包括铟镓锌氧化物（IGZO）。

6.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述第一半导体层和所述第二半导体层为硅类半导体层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：

设置在所述绝缘基板上的第三薄膜晶体管；和

设置在所述绝缘膜上的构成所述第三薄膜晶体管的辅助电容的透明电极，

所述第三栅极电极和所述透明电极由同一材料形成。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管基板；

与所述薄膜晶体管基板相对配置的对置基板；和

设置在所述薄膜晶体管基板和所述对置基板之间的显示介质层。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：

所述显示介质层为液晶层。

10.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

所述薄膜晶体管基板包括：绝缘基板；第一薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第一栅极电极和设置在所述第一栅极电极上的具有第一沟道区域的第一半导体层；第二薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第二栅极电极和设置在所述第二栅极电极上的具有第二沟道区域的第二半导体层；和覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的绝缘膜，

所述薄膜晶体管基板的制造方法至少包括：

在所述绝缘基板上形成所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的第一栅极电极和第二栅极电极形成工序；

在所述第一栅极电极上形成所述第一半导体层，在所述第二栅极电极上形成所述第二半导体层的半导体层形成工序；

以覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的方式形成所述绝缘膜的绝缘膜形成工序；和

在所述绝缘膜上，以与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的至少一个相对配置的方式形成第三栅极电极的第三栅极电极形成工序。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

所述薄膜晶体管基板还包括设置在所述绝缘基板上的第三薄膜晶体管基板，

在所述第三栅极电极形成工序中，由同一材料同时形成所述第三栅极电极和构成所述第三薄膜晶体管的辅助电容的透明电极。