[发明专利]非水系二次电池及非水系二次电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180042636.7 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN103190015A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 中原谦太郎;山下修;西教德;芦原治之;清水洋一 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01M2/08 分类号: H01M2/08;H01M4/60;H01M4/66;H01M10/0566;H01M10/0585
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 谢丽娜;关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 水系 二次 电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种非水系二次电池,其特征在于,

具有:以铝为主成分的正极集电体;

在上述正极集电体上形成的正极层;

以铜为主成分的负极集电体;

负极层,在上述负极集电体上形成,并设置成与上述正极层相对;以及

隔板,设置于上述正极层和上述负极层之间,包含电解液,

上述正极集电体周缘部的内表面及上述负极集电体周缘部的内表面夹着至少具有正极熔接层、气阻层及负极熔接层的多层结构的封口剂而接合。

2.根据权利要求1所述的非水系二次电池,其特征在于,

上述气阻层的主成分为液晶聚酯树脂。

3.根据权利要求1或2所述的非水系二次电池,其特征在于,

上述正极熔接层及上述负极熔接层的主成分具有选自改性聚丙烯树脂、改性聚乙烯树脂及离聚物树脂的一种以上的树脂。

4.根据权利要求1~3的任意一项所述的非水系二次电池,其特征在于,

上述正极集电体具有铝箔,

上述负极集电体具有铜箔。

5.根据权利要求1~4的任意一项所述的非水系二次电池,其特征在于,

上述正极集电体的厚度在12μm以上68μm以下。

6.根据权利要求1~5的任意一项所述的非水系二次电池,其特征在于,

上述正极层中含有氮氧自由基高分子。

7.一种非水系二次电池的制造方法,其特征在于,

使至少具有正极熔接层、气阻层及负极熔接层的多层结构的薄膜状封口剂成形为打通了中央部的周缘形状,并夹入以铝为主成分的正极集电体及以铜为主成分的负极集电体之间后,通过热熔接而接合。

8.根据权利要求7所述的非水系二次电池的制造方法,其特征在于,

上述气阻层的主成分为液晶聚酯树脂,

上述正极熔接层及上述负极熔接层的主成分具有选自改性聚丙烯树脂、改性聚乙烯树脂及离聚物树脂的一种以上的树脂。

9.根据权利要求7或8所述的非水系二次电池的制造方法,其特征在于,

上述正极集电体具有铝箔,

上述负极集电体具有铜箔。

10.根据权利要求7~9的任意一项所述的非水系二次电池的制造方法,其特征在于,

上述正极集电体的厚度在12μm以上68μm以下。

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