[发明专利]介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器无效

专利信息
申请号: 201180042350.9 申请日: 2011-09-02
公开(公告)号: CN103080041A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 藤田聪;粕谷祐贵 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;H01B3/12;H01P7/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 戚传江;穆德骏
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 介质 烧结 及其 制造 方法 以及 谐振器
【权利要求书】:

1.一种介质烧结体,包括:

作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种;以及

作为次要成分的K和Ta;

具有0.9至1.5的在X射线衍射测量中的(111)面峰值的峰值强度p2与(310)面峰值的峰值强度p1的比率A,

具有范围从0.12至0.22°的所述(111)面峰值的半带宽C,

具有范围从2.363至2.371的所述(111)面峰值的d值D,以及

具有钙钛矿结构。

2.根据权利要求1所述的介质烧结体,其中所述介质烧结体包括Ba5Nb4O15结晶相。

3.根据权利要求1或2所述的介质烧结体,其中所述介质烧结体还包括氧化锆。

4.根据权利要求3的所述介质烧结体,其中包括的所述氧化锆小于0.3wt%。

5.根据权利要求3或4的所述介质烧结体,其中在晶粒边界面处存在所述氧化锆。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的介质烧结体,

其中所述介质烧结体包含作为构成元素的K、Ba、Nb和Ta以及Zn和Co中的至少一种,以及

其中所述构成元素的组分比基本上满足以下组分公式:(100-a)[Bau{(ZnvCo1-vwNbx}Oδ1]-a[KyTazOδ2](0.5≤a≤25,0.98≤u≤1.03,0≤v≤1,0.274≤w≤0.374,0.646≤x≤0.696,0.5≤y≤2.5,0.8≤z≤1.2)。

7.一种制造权利要求1至6中任一项所述的介质烧结体的方法,

该方法包括在煅烧原料之后添加氧化锆,随后执行烧结。

8.一种由权利要求1至6中任一项所述的介质烧结体制备的介质谐振器。

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