[发明专利]用于太阳能发电的装置及其制造方法无效
申请号: | 201180041209.7 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN103081123A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 李真宇 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能 发电 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池设备,包括:
衬底;
在所述衬底上的后电极层;
在所述后电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的窗口层,
其中,所述光吸收层形成有具有第一宽度的第三通孔,所述窗口层形成有具有大于所述第一宽度的第二宽度的第四通孔,并且所述第四通孔与所述第三通孔对应。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第四通孔的内表面相对于所述窗口层的上表面倾斜。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池设备,其中,在所述光吸收层与所述窗口层之间形成台阶差。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第三通孔的所述第一宽度在40μm至100μm的范围内,所述第四通孔的所述第二宽度在80μm至120μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述光吸收层中形成有与所述第三通孔相邻的第二通孔,所述后电极层中形成有与所述第二通孔相邻的第一通孔。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第四通孔与所述第三通孔重叠。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括:
在所述光吸收层与所述窗口层之间的第一缓冲层;以及
在所述第一缓冲层与所述窗口层之间的第二缓冲层,
其中,所述第三通孔形成在所述光吸收层和所述第一缓冲层中,所述第四通孔形成在所述窗口层和所述第二缓冲层中。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,在所述第三通孔的内表面与所述第四通孔的内表面之间形成台阶差。
9.一种太阳能电池设备,包括:
后电极;
在所述后电极上的光吸收部;以及
窗口,该窗口形成在所述光吸收部上,从而在所述窗口与所述光吸收部之间形成台阶差。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池设备,其中,所述窗口的侧面相对于所述后电极的上表面倾斜。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池设备,其中,所述光吸收部的侧面相对于所述窗口的侧面横向地突出。
12.根据权利要求9所述的太阳能电池设备,进一步包括:
在所述光吸收部与所述窗口之间的缓冲部;以及
在所述缓冲部与所述窗口之间的高阻缓冲部。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池设备,其中,在所述高阻缓冲部与所述缓冲部之间形成台阶差。
14.一种太阳能电池设备的制造方法,所述方法包括:
在衬底上形成后电极层;
在所述后电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成窗口层;
在所述窗口层上形成掩模图案;以及
通过蚀刻所述窗口层和所述光吸收层,在所述光吸收层中形成具有第一宽度的第三通孔并且在所述窗口层中形成具有大于所述第一宽度的第二宽度的第四通孔。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述掩模图案形成有与所述第三通孔相对应的露出孔。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述掩模图案包括:
与所述露出孔相邻并且具有第一厚度的第一掩模部;以及
包围所述第一掩模部并且具有第二厚度的第二掩模部,所述第二厚度大于所述第一厚度。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一掩模部与所述第四通孔相对应。
18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括去除所述第一掩模部并且减小所述第二掩模部的所述第二厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的