[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201180041176.6 | 申请日: | 2011-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN103081122A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
| 发明(设计)人: | 李真宇 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
衬底;
在所述衬底上的后电极层;
在所述后电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的窗口层,
其中,所述窗口层包括:
在所述光吸收层上的基底层;以及
在所述基底层上的防反射图案,并且
其中,所述防反射图案包括:
上表面;以及
倾斜表面,从所述上表面沿着所述倾斜表面相对于所述上表面倾斜的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述倾斜表面包括:
第一倾斜表面;
与所述第一倾斜表面相邻的第二倾斜表面;
与所述第二倾斜表面相邻的第三倾斜表面;以及
与所述第一倾斜表面和所述第三倾斜表面相邻的第四倾斜表面。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述上表面具有多边形的形状。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案的高度小于所述基底层的厚度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案与所述基底层一体形成,并且具有四边形截棱锥的形状。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案的上表面的宽度在0.5μm至1.5μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案包括:
从所述基底层向上突出的第一突起;以及
与所述第一突起相邻的第二突起,
其中,所述倾斜表面与垂直于所述防反射图案的上表面的方向所成的角度θ满足方程式1:
方程式1
θ<tan-1(L/T)
其中,L表示所述第一突起的上表面与所述第二突起的上表面之间的距离,T表示所述窗口层的厚度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案的上表面沿着与所述光吸收层的上表面的延伸方向相同的方向延伸。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其中,所述防反射图案的上表面与所述光吸收层的上表面基本平行。
10.一种太阳能电池,包括:
衬底;
在所述衬底上的后电极层;
在所述后电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的窗口层,
其中,所述窗口层包括:
在上表面上互相隔开的多个第一凹槽;以及
互相隔开同时与所述第一凹槽交叉的多个第二凹槽。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,每个第一凹槽包括:
相对于所述光吸收层的上表面倾斜的第一内侧面;以及
相对于所述光吸收层的上表面倾斜的第二内侧面,并且
其中,所述第一内侧面与所述第二内侧面接触。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其中,每个第二凹槽包括:
相对于所述光吸收层的上表面倾斜的第三内侧面;以及
相对于所述光吸收层的上表面倾斜的第四内侧面,并且
其中,所述第三内侧面与所述第四内侧面接触。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽为V形。
14.一种太阳能电池的制备方法,所述方法包括:
在衬底上形成后电极层;
在所述后电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成窗口层;
在所述窗口层上形成掩模图案;以及
通过利用所述掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述窗口层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述掩模图案为岛形。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,在刻蚀所述窗口层时,所述窗口层的刻蚀深度小于所述窗口层的厚度的1/2。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,所述掩模图案具有四边形的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





