[发明专利]有机电致发光器件有效
申请号: | 201180041119.8 | 申请日: | 2011-08-22 |
公开(公告)号: | CN103098215A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | H.施瓦布;H.F.博尔纳;V.范埃斯伯根;D.拉亚施;S.哈特曼恩 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李亚非;汪扬 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件(1),包括:衬底(2),该衬底承载串联连接的多个电致发光层堆叠(3),每个电致发光层堆叠包括第一和第二电极(31、33)以及布置在第一和第二电极(31、33)之间的有机发光层堆叠(32);罩盖(4),该罩盖密封到衬底(2)从而封装电致发光层堆叠(3),提供电致发光层堆叠(3)与罩盖(4)的内侧(41)之间的间隙(5),其中串联连接是通过将串联连接中涉及的至少一个所述电致发光层堆叠(3)的第一电极(31),经由导电桥(6)连接到在串联连接中涉及的另一电致发光层堆叠(3)的第二电极(33)来建立,其中该导电桥(6)包括布置在罩盖(4)的内侧(41)上的导电路径(62)、将第一电极(31)连接到导电路径(62)的第一电连接(61)以及将导电路径(62)与另一电致发光层堆叠(3)、优选地该邻近电致发光层堆叠(3)的第二电极(33)连接的第二电连接(63)。
2.根据权利要求1的有机电致发光器件(1),其特征在于至少内侧(41)的罩盖(4)由电绝缘材料制成并且涂覆有提供导电路径(62)的导电覆盖层(42)的图案。
3.根据权利要求1的有机电致发光器件(1),其特征在于罩盖(4)至少部分地由导电材料制成,其中罩盖(4)的内侧(41)涂覆有提供导电路径的导电覆盖层(42)的图案,以及其中通过至少提供在罩盖(4)的内侧(41)与导电覆盖层(42)之间的绝缘层(43),覆盖层(42)与罩盖(4)绝缘。
4.根据任一前述权利要求的有机电致发光器件(1),其特征在于该邻近电致发光层堆叠(3)的第一电极(31)通过具有第一宽度(W1)的第一间隙(G1)而彼此分隔,并且该邻近电致发光层堆叠(3)的第二电极(33)和有机发光层堆叠(32)通过在第一间隙(G1)上的第二间隙(G2)而彼此分隔,该第二间隙具有大于第一宽度(W1)的第二宽度(W2),从而提供第一电极(31)的未被覆盖的接触区域(311)。
5.根据权利要求4的有机电致发光器件(1),其特征在于第一电极(31)的未被覆盖的接触区域(311)延伸到面向邻近电致发光层堆叠(3)的第一电极(31)的边缘(312)的整个长度(L)。
6.根据权利要求4的有机电致发光器件(1),其特征在于第一电连接(61)是通过沉积在第一电极(31)的未被覆盖的接触区域(311)之上的导电材料来建立。
7.根据权利要求1-3中任意一项的有机电致发光器件(1),其特征在于第二电连接(63)是通过沉积在第二电极(33)之上的导电材料来建立。
8.根据权利要求1-3中任意一项的有机电致发光器件(1),其特征在于在罩盖(4)的内侧(41)处导电路径(62)的布置被调适为按照调适到期望应用的顺序来连接电致发光层堆叠(3)。
9.根据权利要求1-3中任意一项的有机电致发光器件(1),其特征在于至少一个所述导电路径(62)连接到功能部件(7)。
10.根据权利要求1-3中任意一项的有机电致发光器件(1),其特征在于罩盖(4)包括至少一个电馈通部(8),从而提供驱动电压到至少一个所述第一和/或第二电极(31、33)。
11.一种提供根据权利要求1的有机电致发光器件(1)的方法,该方法包括下述步骤:
提供衬底(2),该衬底承载彼此电绝缘的多个电致发光层堆叠(3),所述多个电致发光层堆叠包括第一和第二电极(31、33)以及布置在第一和第二电极(31、33)之间的有机发光层堆叠(32),
在第一电极(31)之上沉积第一电连接(61)以及在第二电极(33)之上沉积第二电连接(63),
利用罩盖(4)封装电致发光层堆叠(3),该罩盖包括密封到衬底(2)的导电路径(62),从而提供电致发光层堆叠(3)和罩盖(4)的内侧(41)之间的间隙(5),以及
通过将第一和第二电连接(61、63)连接到适合于提供电致发光层堆叠(3)的串联连接的、布置在罩盖(4)的内侧(41)的导电路径(62),在串联连接中涉及的至少一个电致发光层堆叠(3)的第一电极(31)与串联连接中涉及的另一电致发光层堆叠(3)的第二电极(33)之间建立导电桥(6)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180041119.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的