[发明专利]Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶

权利要求书

1.一种Al合金膜，其特征在于，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％和稀土类元素：0.05～2.0原子％。

2.根据权利要求1所述的Al合金膜，其中，所述稀土类元素是从由Nd、La和Gd构成的群中选出的至少一种元素。

3.根据权利要求1或2所述的Al合金膜，其中，在25℃将所述Al合金膜浸渍在1％的氯化钠水溶液中2小时后，用1000倍的光学显微镜观察所述Al合金膜的表面时，Al合金膜表面的腐蚀面积相对于Al合金膜表面总面积被抑制在10％以下。

4.一种配线结构，是具有基板、权利要求1或2所述的Al合金膜和透明导电膜的配线结构，其中，从基板侧依次形成有所述Al合金膜和所述透明导电膜，或从基板侧依次形成有所述透明导电膜和所述Al合金膜。

5.根据权利要求4所述的配线结构，其中，所述Al合金膜和所述透明导电膜直接连接。

6.根据权利要求4所述的配线结构，其中，对于从基板侧依次形成有所述Al合金膜和所述透明导电膜，并在所述Al合金膜上的一部分直接或经高熔点金属膜形成有所述透明导电膜的Al-透明导电膜的层叠试料，在1％的氯化钠水溶液中在25℃浸渍2小时后，用1000倍的光学显微镜观察未形成透明导电膜的Al合金膜的表面时，所述Al合金膜表面的腐蚀面积相对于所述未形成透明导电膜的Al合金膜表面总面积被抑制在10％以下。

7.根据权利要求4所述的配线结构，其中，对于从基板侧依次形成有所述透明导电膜和所述Al合金膜，并在所述透明导电膜上直接或经高熔点金属膜形成有所述Al合金膜；或者，依次在所述透明导电膜上形成有所述Al合金膜，并且，在所述Al合金膜上的一部分形成有高熔点金属膜的透明导电膜-Al的层叠试料，在1％的氯化钠水溶液中在25℃浸渍2小时后，用1000倍的光学显微镜观察所述Al合金膜的表面时，所述Al合金膜表面的腐蚀面积相对于所述Al合金膜表面总面积被抑制在10％以下。

8.根据权利要求4所述的配线结构，其中，对于从基板侧依次形成有所述Al合金膜和所述透明导电膜，并在所述Al合金膜上直接形成有透明导电膜的Al-透明导电膜的层叠试料，在60℃相对湿度为90％的湿润环境中暴露500小时后经透明导电膜中的针孔形成的针孔腐蚀密度在1000倍光学显微镜观察视野内为40个/mm²以下。

9.根据权利要求4所述的配线结构，其中，所述透明导电膜为ITO或IZO。

10.根据权利要求4所述的配线结构，其中，所述透明导电膜的膜厚为20～120nm。

11.一种薄膜晶体管，其具备权利要求4所述的配线结构。

12.一种反射膜，其具备权利要求4所述的配线结构。

13.一种有机EL用反射阳极电极，其具备权利要求4所述的配线结构。

14.一种触摸屏传感器，其具备权利要求1或2所述的Al合金膜。

15.一种显示装置，其具备权利要求11所述的薄膜晶体管。

16.一种显示装置，其具备权利要求12所述的反射膜。

17.一种显示装置，其具备权利要求13所述的有机EL用反射阳极电极。

18.一种显示装置，其具备权利要求14所述的触摸屏传感器。

19.一种溅射靶，其特征在于，是用于显示装置用的配线膜或反射膜、或者触摸屏传感器用的配线膜的制造的溅射靶，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％和稀土类元素：0.05～2.0原子％，余量为Al和不可避免的杂质。

20.根据权利要求19所述的溅射靶，其中，所述稀土类元素是从由Nd、La和Gd构成的群中选出的至少一种元素。