[发明专利]溅镀标靶馈入系统

权利要求书

1.一种装置，包括：

电弧室外壳，定义电弧室；以及

馈入系统，经组态以馈入溅镀标靶至所述电弧室。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述馈入系统经组态以在经选择的的馈入速率下馈入所述溅镀标靶至所述电弧室，所述经选择的馈入速率对应所述溅镀标靶的侵蚀速率。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述馈入系统经组态以馈入所述溅镀标靶的一部分至所述电弧室，而所述溅镀标靶的剩余部分位于所述电弧室外。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述馈入系统包括耦合于所述溅镀标靶的转轴，且其中所述转轴经组态以在经选择的馈入速率下驱动所述溅镀标靶的一部分至所述电弧室，所述经选择的馈入速率对应所述部分的侵蚀速率。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述转轴包括固定地耦合于所述溅镀标靶的旋转转轴，且其中在驱动所述溅镀标靶至所述电弧室时，所述馈入系统进一步地经组态以旋转所述溅镀标靶。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述馈入系统还包括耦合于所述旋转转轴的旋转接点，其中所述旋转接点提供电性接点，所述电性接点用于施加偏压于所述溅镀标靶的偏压信号。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述电弧室外壳包括第一孔隙及第一盖体，其中当正在第一溅镀模式操作所述离子源时，所述第一盖体在开启位置，且其中所述馈入系统经组态以馈入所述溅镀标靶通过所述第一孔隙至所述电弧室。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述电弧室外壳还包括第二孔隙及第二盖体，其中当正在第二溅镀模式操作所述离子源时，所述第二盖体在开启位置且所述第一盖体在关闭位置，且其中所述馈入系统经组态以馈入第二溅镀标靶通过所述第二孔隙至所述电弧室。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述溅镀标靶具有圆柱形形状，且所述第一孔隙具有圆形形状以接收所述圆柱形形状。

10.根据权利要求7所述的装置，还包括设置在所述电弧室一端的阴极与设置在所述电弧室相对端的反射极，其中所述馈入系统经组态以从所述电弧室移出所述溅镀标靶，且其中当正在间接加热阴极模式操作所述装置时，所述第一盖体在关闭位置。

11.一种方法，包括：

馈入溅镀标靶至电弧室，所述电弧室由电弧室外壳定义而成；以及

蚀刻来自所述溅镀标靶的粒子。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括离子化来自所述溅镀标靶的所述粒子。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括当离子化来自所述溅镀标靶的所述粒子时，将所述溅镀标靶的一部分置于所述电弧室内，以及将所述溅镀标靶的其余部分置于所述电弧室外。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括萃取来自萃取孔隙的离子束，所述萃取孔隙藉由所述电弧室外壳定义。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括在经选择的馈入速率下馈入所述溅镀标靶至所述电弧室，所述经选择的馈入速率对应于所述溅镀标靶的侵蚀速率。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括当馈入所述溅镀标靶至所述电弧室时，旋转所述溅镀标靶。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括施加偏压于所述溅镀标靶。