[发明专利]蒸镀处理装置和蒸镀处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在例如有机EL元件的制造中用于发光层的成膜的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。

背景技术

近年来，开发了利用电致发光（EL：Electro Luminescence）的有机EL元件。有机EL元件由于自身发光，因此消耗功率较小，并且还具有视场角比液晶显示器（LCD）等的视场角优异等优点，有机EL元件的今后的发展正受到期待。

该有机EL元件的最基本的构造是在玻璃基板上将阳极（anode）层、发光层以及阴极（cathode）层层叠而形成的层状构造（日文：サンドイッチ構造）。为了使发光层发出的光向外界射出，将由ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）等构成的透明电极用于玻璃基板上的阳极层。通常，在表面预先形成有ITO层（阳极层）的玻璃基板上依次形成发光层和阴极层、并进一步形成密封膜层，从而制造该有机EL元件。

以上那样的有机EL元件中的有机层的成膜通常在蒸镀处理装置中进行。对于蒸镀处理装置中的有机层等的膜厚，从发光效率等观点考虑，需要将其控制成规定的膜厚，以往以来不断发明了各种膜厚控制技术。

作为膜厚控制技术，公知有例如专利文献1所记载的膜厚测量方法那样的、使用测量用的晶体振子进行膜厚测量并使测量结果反应到用于实际进行成膜的基板中这样的方法。图1是关于通常膜厚控制的作为以往技术的、使用晶体振子来进行膜厚测量的蒸镀处理装置100的概略说明图。蒸镀处理装置100由互相连通的腔室101和基板处理室102构成，在蒸镀处理装置100的内部设有与材料气体供给部103相连通的蒸镀头110。在基板处理室102的下部配置有处于面朝上（face up）的状态的基板G，该基板G由基板支承台111支承。另外，以与基板支承台111上的基板G相邻的方式配置有由例如石英构成的晶体振子（QCM）112。

另外，蒸镀头110的下表面开口且该开口部与基板G的上表面相对。自材料气体供给部103供给来的材料气体通过蒸镀头110而从其开口部向基板G的上表面喷射。此时，从蒸镀头110也同时向晶体振子（QCM）112喷射材料气体。此外，利用经由排气管113与腔室101连通的真空泵115使腔室101成为真空状态，与此相伴，将基板处理室102也保持成真空状态。另外，利用未图示的加热器进行温度控制而将蒸镀头110、腔室101等的温度控制为材料气体不会析出那样程度的温度。

在以上那样构成的蒸镀处理装置100中，通过对实际蒸镀在晶体振子（QCM）112上的薄膜的膜厚进行测量来对蒸镀在基板G上的薄膜的膜厚进行测量、控制。即，在将晶体振子（QCM）112的蒸镀条件和基板G的蒸镀条件设成了相同的蒸镀条件的情况下，蒸镀在晶体振子（QCM）112上的薄膜的膜厚和蒸镀在基板G上的薄膜的膜厚具有恒定的关系，因此根据蒸镀在晶体振子（QCM）112上的薄膜的膜厚可知在相同条件下蒸镀在基板G上的薄膜的膜厚。此外，作为在膜厚的测量中使用的对象物，不只是公知有晶体振子（QCM）112，还公知有例如以与实际进行成膜的基板G大致相同条件来进行成膜的仿真基板等。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－122200号公报

然而，在上述蒸镀处理装置100中，由于在蒸镀于晶体振子（QCM）112上的薄膜的膜厚测量中存在极限（存在晶体振子112的装置寿命），因此存在需要频繁更换晶体振子（QCM）112这样的问题点。另外，由于需要进行以下工序，即，在没有基板G的状态下仅对晶体振子（QCM）112进行蒸镀并测量膜厚，之后以相同条件对基板G进行蒸镀，以确定晶体振子（QCM）112上的膜厚和基板上G的膜厚间的关系性，因此存在测量作业非常花费时间而导致生产效率降低这样的问题点。

发明内容

因此，鉴于上述问题点，本发明的目的在于提供一种能够在基板G上形成薄膜的同时进行膜厚控制的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。