[发明专利]氢薄膜分离器

权利要求书

1.气体发生设备，包括；

反应室；

在所述反应室中的燃料混合物，其中所述燃料混合物在催化剂存在的情况下反应产生气体；和

其中所述反应室包含氢产出组合物，其包括放置在两个气体可渗透而基本上液体不可渗透的薄膜之间的疏水格栅结构，并且产生的气体流动通过一个或两个所述薄膜并且在格栅结构周围流动。

2.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构具有大于大约120°的与水的静态接触角。

3.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构具有大于大约150°的与水的静态接触角。

4.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构具有小于大约40mJ/m²的表面能。

5.根据权利要求4的气体发生设备，其中表面能具有小于大约40mJ/m²的扩散能分量和小于大约2.0mJ/m²的极化能分量。

6.根据权利要求4的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构的表面能小于大约20mJ/m²。

7.根据权利要求6的气体发生设备，其中表面能具有小于大约20mJ/m²的扩散能分量和小于大约1.0mJ/m²的极化能分量。

8.根据权利要求6的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构的表面能小于大约10mJ/m²。

9.根据权利要求8的气体发生设备，其中表面能具有小于大约10mJ/m²的扩散能分量和小于大约0.5mJ/m²的极化能分量。

10.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构具有小于大约40°的接触角滞后测量值。

11.根据权利要求10的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构的接触角滞后测量值小于大约20°。

12.根据权利要求11的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构的接触角滞后测量值小于大约10°。

13.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构是聚合物。

14.根据权利要求13的气体发生设备，其中该聚合物包括聚四氟乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚乙二烯、聚乙烯、聚硅氧烷、聚偏氟乙烯、乙交酯-丙交酯共聚物、冻干的硬脑脊膜类物质、硅树脂、橡胶、和/或其混合物。

15.根据权利要求13的气体发生设备，其中该聚合物包括聚偏氟乙烯。

16.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构涂有疏水涂层。

17.根据权利要求16的气体发生设备，其中所述疏水涂层包括聚乙烯、石蜡、油类、凝胶剂、膏剂、润滑脂、腊质、聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、四氟亚乙基-全氟烷基乙烯基醚的共聚物、聚全氟乙丙烯、聚(全氟辛基亚乙基丙烯酸酯)、聚磷腈、聚硅氧烷、二氧化硅、炭黑、氧化铝、二氧化钛、水合硅烷、硅树脂、和/或其混合物。

18.根据权利要求16的气体发生设备，其中所述疏水涂层包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚的共聚物、聚全氟乙丙烯、聚(全氟辛基乙基丙烯酸酯)、或聚磷腈。

19.根据权利要求1的气体发生设备，其中所述疏水格栅结构涂有表面活性剂。

20.根据权利要求19的气体发生设备，其中所述表面活性剂包括全氟辛酸酯、全氟辛烷磺酸盐、月桂基硫酸铵、十二烷基硫酸钠、烷基苯磺酸、硫酸化或磺酸化的脂肪类物质、硫酸化的烷基芳氧基聚烷氧基醇的盐、烷基苯磺酸盐、十二烷基苯磺酸钠、氟代表面活性剂、月桂基硫酸钠、磺基丁二酸酯共混物、二辛基磺基丁二酸钠、磺基丁二酸钠、2-乙基己基硫酸钠、乙氧基化的炔醇、高环氧乙烷辛基苯酚、高环氧乙烷壬基苯酚、高环氧乙烷直链和仲醇、任意环氧乙烷链长的乙氧基化的胺、乙氧基化的山梨聚糖酯、在丁基醇上的无规EO/PO聚合物、水溶性嵌段EO/PO共聚物、月桂醚硫酸钠、和/或其混合物。

21.根据权利要求20的气体发生设备，其中所述表面活性剂包括交联剂。