[发明专利]电极形成用玻璃及使用其的电极形成材料无效
申请号: | 201180039902.0 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN103068761A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 石原健太郎 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
主分类号: | C03C8/18 | 分类号: | C03C8/18;H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 玻璃 使用 材料 | ||
技术领域
本发明涉及电极形成用玻璃及电极形成材料,特别是涉及适合于形成具有防反射膜的硅太阳能电池(包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、微晶硅太阳能电池)的受光面电极的电极形成用玻璃及电极形成材料。
背景技术
硅太阳能电池具备半导体基板、受光面电极、背面电极、防反射膜。半导体基板具有p型半导体层和n型半导体层,在半导体基板的受光面侧形成栅状的受光面电极,在半导体基板的背面侧(非受光面侧)形成背面电极。受光面电极或背面电极通过将电极形成材料(包含金属粉末、玻璃粉末和媒介物(vehicle))烧结而形成。通常,受光面电极中使用Ag粉末,背面电极中使用Al粉末。防反射膜使用氮化硅膜、氧化硅膜、氧化钛膜、氧化铝膜等,目前,主要使用氮化硅膜。
在硅太阳能电池中形成受光面电极的方法有蒸镀法、镀敷法、印刷法等,最近,印刷法成为主流。印刷法是通过丝网印刷将电极形成材料涂布到防反射膜等上后,在650~850℃下进行短时间烧成而形成受光面电极的方法。
在印刷法的情况下,利用在烧成时电极形成材料贯穿防反射膜的现象,并通过该现象将受光面电极与半导体层电连接。该现象通常被称为烧穿(fire-through)。若利用烧穿,则在受光面电极的形成时,不需要防反射膜的蚀刻,并且不需要防反射膜的蚀刻与电极图案的对位,硅太阳能电池的生产效率飞跃地提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-87951号公报
专利文献2:日本特开2005-56875号公报
专利文献3:日本特表2008-527698号公报
发明内容
发明所要解决的问题
电极形成材料贯穿防反射膜的程度(以下为烧穿性)因电极形成材料的组成、烧成条件而发生变动,特别是玻璃粉末的玻璃组成的影响最大。这起因于烧穿主要因玻璃粉末与防反射膜的反应而产生。此外,硅太阳能电池的光电转换效率与电极形成材料的烧穿性密切相关。若烧穿性不充分,则硅太阳能电池的光电转换效率降低,硅太阳能电池的基本性能降低。
此外,具有特定的玻璃组成的铋系玻璃显示良好的烧穿性,但即使使用这样的铋系玻璃,在烧穿时,有时也发生使硅太阳能电池的光电转换效率降低的不良情况。因此,从提高硅太阳能电池的光电转换效率的观点出发,铋系玻璃仍存在改善的余地。
进而,对电极形成材料中包含的玻璃粉末要求在低温下能够烧结等特性。
因此,本发明的技术性课题在于,通过发明烧穿性良好、在烧穿时不易使硅太阳能电池的光电转换效率降低、并且在低温下能够烧结的铋系玻璃,从而提高硅太阳能电池的光电转换效率。
用于解决问题的方案
本发明者进行深入研究的结果,发现:通过将铋系玻璃的玻璃组成限制在规定范围、特别是将Bi2O3和B2O3的含量限制在规定范围,从而能够解决上述技术性课题,以此提出本发明。即,本发明的电极形成用玻璃,其特征在于,作为玻璃组成,以质量%计,含有Bi2O365.2~90%、B2O30~5.4%、MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO+CuO+Fe2O3+Nd2O3+CeO2+Sb2O3(MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO、CuO、Fe2O3、Nd2O3、CeO2、及Sb2O3的总量)0.1~34.5%。
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