[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

基板；

被设于所述基板的上表面上或上方且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层；

被设于所述第1半导体层上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层；

被设于所述基板的背面上且与接地连接的背面电极；

以相互分离开的方式被设置在所述第2半导体层上的源电极及漏电极；

被设于所述第2半导体层上的所述源电极与漏电极之间的位置且与所述第2半导体层进行肖特基接触的栅电极；以及

贯通所述第2半导体层及所述第1半导体层并至少抵达所述基板且使所述源电极与所述背面电极电连接的插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层由GaN构成，

所述第2半导体层由N型的Al_xGa_1-xN构成，其中0＜x≤1。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

该半导体装置还具备：

被设于所述第2半导体层的上方且与所述源电极连接的源极布线；

被设于所述第2半导体层的上方且与所述漏电极连接的漏极布线；以及

被设于所述第2半导体层的上方且与所述栅电极连接的栅极布线，

所述源极布线、所述漏极布线及所述栅极布线被配置为相互不交叉。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层中与所述插塞相接的部分，与所述第2半导体层的其他部分相比为高电阻。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述源极布线上及所述漏极布线上的至少一方还具备翘曲缓和层，该翘曲缓和层向所述源极布线或所述漏极布线施加缓和所述基板的翘曲的方向的应力。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

配置了多根所述漏极布线，

该半导体装置还具备使被设置为相互分离的所述漏极布线彼此连接的空气桥。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述插塞还贯通所述基板。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基板是导电性的，

所述插塞抵达所述基板的一部分。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

该半导体装置还具备被设于所述基板的上表面上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层，

所述第1半导体层被设于所述缓冲层之上，

所述插塞贯通所述缓冲层。

10.一种半导体装置的制造方法，其包括：

在基板的背面上形成背面电极的工序；

在所述基板的上表面上或上方形成由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层的工序；

在所述第1半导体层之上形成由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层的工序；

在所述第2半导体层上的相互分离的位置形成源电极及漏电极的工序；

在所述第2半导体层上形成栅电极的工序；以及

形成与所述源电极连接、并且贯通所述第1半导体层及所述第2半导体层且至少抵达所述基板的一部分的插塞的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

该半导体装置的制造方法还具备在所述基板的上表面上形成由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层的工序，

所述第1半导体层被形成在所述缓冲层上，

所述插塞贯通所述缓冲层。